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First-principles study of the properties for crystal Ge2Sb2Te5 with Ge vacancy
AIP advances, 2018-06, Vol.8 (6), p.065223-065223-7
2018
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Fabrications and application of single crystalline GaN for high-performance deep UV photodetectors
AIP advances, 2016-08, Vol.6 (8), p.085117-085117-12
2016
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A microscopic TEM study of the defect layers in cast-mono crystalline silicon wafers induced by diamond-wire sawing
AIP advances, 2021-04, Vol.11 (4), p.045103-045103-6
2021
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Determination of electron and phonon temperatures in gold thin film irradiated with an ultrashort laser pulse
AIP advances, 2022-09, Vol.12 (9), p.095207-095207-10
2022
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Spectral characterization of a Rh(110) photocathode: Band structure interpretation
AIP advances, 2019-06, Vol.9 (6), p.065305-065305-7
2019
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Transformation of ZnS microspheres to ZnO, their computational (DFT) validation and dye-sensitized solar cells application
AIP advances, 2022-07, Vol.12 (7), p.075001-075001-10
2022
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Optical bandgap of ultra-thin amorphous silicon films deposited on crystalline silicon by PECVD
AIP advances, 2014-05, Vol.4 (5), p.057122-057122-14
2014
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Polarity-dependent resistance switching in crystalline Ge1Sb4Te7 film
AIP advances, 2019-03, Vol.9 (3), p.035131-035131-4
2019
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Quantum transport model for zigzag molybdenum disulfide nanoribbon structures : A full quantum framework
AIP advances, 2016-08, Vol.6 (8), p.085123-085123-15
2016
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Electron transport across nanocrystalline diamond films: Field emission and conducting atomic force microscopic investigations
AIP advances, 2020-04, Vol.10 (4), p.045129-045129-7
2020
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Low-temperature self-limiting atomic layer deposition of wurtzite InN on Si(100)
AIP advances, 2016-04, Vol.6 (4), p.045203-045203-15
2016
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On the origin of inter band gap radiative emission in crystalline silicon
AIP advances, 2012-12, Vol.2 (4), p.042135-042135-7
2012
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Effect of germanium fraction on the effective minority carrier lifetime in thin film amorphous-Si/crystalline-Si1xGex/crystalline-Si heterojunction solar cells
AIP advances, 2013-05, Vol.3 (5), p.052119-052119
2013
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Surface structure chemical transfer method to fabricate low reflectance multi-crystalline Si wafers produced with fixed abrasive machining technology
AIP advances, 2019-05, Vol.9 (5), p.055224-055224-6
2019
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Effect of process pressure and temperature on ZnON material properties in reactive sputtering
AIP advances, 2017-03, Vol.7 (3), p.035311-035311-8
2017
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Stability and band offsets between GaAs semiconductor and CeO2 gate dielectric
AIP advances, 2019-02, Vol.9 (2), p.025117-025117-7
2019
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Finite-temperature effects on the x-ray absorption spectra of crystalline alumina from first principles
AIP advances, 2023-05, Vol.13 (5), p.055015-055015-6
2023
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High frequency conductivity in carbon nanotubes
AIP advances, 2012-12, Vol.2 (4), p.042178-042178-5
2012
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Structural, electronic, magnetic, and optical investigations of sodium chalcogenides: First-principles calculations
AIP advances, 2023-01, Vol.13 (1), p.015110-015110-17
2023
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Sub-threshold ultrafast one-photon photoemission from a Cu(111) photocathode
AIP advances, 2022-10, Vol.12 (10), p.105129-105129-9
2022
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Subthreshold electron transport properties of ultrathin film phase change material Ge2Sb2Te5
AIP advances, 2019-05, Vol.9 (5), p.055120-055120-7
2019
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Investigation of temperature dependent threshold voltage variation of Gd2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure
AIP advances, 2012-09, Vol.2 (3), p.032159-032159-9
2012
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Crystallization morphology and space charge property of silica/low density polyethylene composites
AIP advances, 2020-01, Vol.10 (1), p.015043-015043-10
2020
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The potential application of ultra-nanocrystalline diamond films for heavy ion irradiation detection
AIP advances, 2013-06, Vol.3 (6), p.062113-062113
2013
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Unraveling the electronic structures in different phases of gadolinium sesquioxides performed by electron energy loss spectroscopy
AIP advances, 2020-10, Vol.10 (10), p.105022-105022-7
2020
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