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Studies on the electrical characteristics of a high-k dielectric/metal gate MOS capacitor by high-pressure annealing
Japanese Journal of Applied Physics, 2022-05, Vol.61 (5), p.51002
2022
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Role of gate current and polarization switching in sub-60 mV/decade steep subthreshold slope in metal–ferroelectric HfZrO^sub 2^–metal–insulator–Si FET
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-11, Vol.57 (11), p.114202
2018
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Charge pumping current from single Si/SiO sub(2) interface traps: Direct observation of P sub(b) centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method
Japanese Journal of Applied Physics, 2015-04, Vol.54 (4S), p.04DC01-1-04DC01-7
2015
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Mechanism of state transition of a defect causing random-telegraph-noise-induced fluctuation in stress-induced leakage current of SiO sub(2) films
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-01, Vol.53 (8S1), p.08LB01-1-08LB01-6
2014
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Improved Memory Characteristics of A Novel TaN/Al sub(2)O sub(3)/TiO sub(2)/HfO sub(2)/SiO sub(2)/Si Structured Charge Trapping Memory
Japanese Journal of Applied Physics, 2013-04, Vol.52 (4S), p.04CD13-04CD13
2013
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Performance Enhancement by Local Strain in Channel n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on (111) Substrate
Japanese Journal of Applied Physics, 2007-09, Vol.46 (9R), p.5715
2007
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Reduced Hot-Carrier Induced Degradation of NMOS I/O Transistors with Sub-micron Source-Drain Diffusion Length for 0.11 µm Dual Gate Oxide CMOS Technology
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-04, Vol.44 (4S), p.2125
2005
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Identification of Fixed and Interface Trap Charges in Hot-Carrier Stressed Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET's) through Ultraviolet Light Anneal and Gate Capacitance Measurements
Japanese Journal of Applied Physics, 1995-01, Vol.34 (1B), p.L101
1995
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Two-dimensional contact-type image sensor using amorphous silicon photo-transistor
JPN J APPL PHYS PART 1 REGUL PAP SHORT NOTE, 1993, Vol.32 (1B), p.458-461
1993
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400 kHz radio-frequency biased electron cyclotron resonance position etching
Japanese Journal of Applied Physics, 1991-11, Vol.30 (11B), p.3154-3158
1991
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