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OVPD und Anwendung optischer Spektroskopiemethoden zur Wachstumskontrolle. OVPD and Applications of Optical Spectroscopic Methods to Growth Control
Vakuum in Forschung und Praxis : Zeitschrift für Vakuumtechnologie, Oberflèachen und Dünne Schichten, 2003-12, Vol.15 (6), p.312-314
2003
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Theoretical studies of the vibrational properties of the 3,4,9,10,-perylene tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) molecule
Journal of molecular structure. Theochem, 2003-05, Vol.625 (1), p.39-46
2003
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Structural and optical studies on Nd doped ZnO thin films
Superlattices and microstructures, 2015-01, Vol.77, p.325-332
2015
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7 - Spectroscopy of Vibrational States in Low-Dimensional Semiconductor Systems
Advances in Semiconductor Nanostructures, 2017, p.157-186
2017
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OVPD und Anwendung optischer Spektroskopiemethoden zur Wachstumskontrolle. OVPD and Applications of Optical Spectroscopic Methods to Growth Control
Vakuum in Forschung und Praxis : Zeitschrift für Vakuumtechnologie, Oberflèachen und Dünne Schichten, 2003-12, Vol.15 (6), p.312-314
2003
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Optical Anisotropy of Organic Layers Deposited on Semiconductor Surfaces
Physica status solidi. A, Applied research, 2001-12, Vol.188 (4), p.1307-1317
2001
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p inversion layer Si solar cells as test for the I/sup -/S structure: results and prospects
3rd World Conference onPhotovoltaic Energy Conversion, 2003. Proceedings of, 2003, Vol.1, p.232-235 Vol.1
2003
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Investigations during annealing of the interface in Si-Si bonded wafers by multiple internal transmission infrared spectroscopy
Proceedings. International Semiconductor Conference, 2002, Vol.2, p.271-274 vol.2
2002
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MBE Grown GaAs on Si(100) Studied by Infrared Spectroscopy
MRS proceedings, 1989, Vol.160, Article 493
1989
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In-situ Optical Diagnostics Of Semiconductor heterostructures
LEOS '92 Conference Proceedings, 1992, p.19-20
1992
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Model of photoluminescence of InAs quantum dots embedded in indirect band gap AlGaAs matrices
Proceedings. The 8th Russian-Korean International Symposium on Science and Technology, 2004. KORUS 2004, 2004, Vol.3, p.157-160 vol. 3
2004
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In situ optical characterisation with monolayer sensitivity: the As-terminated Si(111) surface
Surface science letters, 1993-05, Vol.287, p.A414-A414
1993
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Surface electronic structure of monolayer Bi on InP(110)
Surface science letters, 1993-05, Vol.287, p.A402-A402
1993
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Anomalous bandbending in metal/InP interface formation
Surface science letters, 1991-07, Vol.251, p.A336-A336
1991
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