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A 58nm 1.8V 1Gb PRAM with 6.4MB/s program BW
2011 IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2011, p.500-502
2011
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A 800Mb/s/pin 2GB DDR2 SDRAM using an 80nm triple metal technology
ISSCC. 2005 IEEE International Digest of Technical Papers. Solid-State Circuits Conference, 2005, 2005, p.468-610 Vol. 1
2005
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A 1.4 Gb/s DLL using 2nd order charge-pump scheme with low phase/duty error for high-speed DRAM application
2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519), 2004, p.212-523 Vol.1
First edition, 2004
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A 1.5V, 1.6Gb/s/pin, 1Gb DDR3 SDRAM with an Address Queuing Scheme and Bang-Bang Jitter Reduced DLL Scheme
2007 IEEE Symposium on VLSI Circuits, 2007, p.182-183
2007
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1.2V 1.6Gb/s 56nm 6F2 4Gb DDR3 SDRAM with hybrid-I/O sense amplifier and segmented sub-array architecture
2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, 2009, p.128-129,129a
2009
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Effects of Pd distribution at free air ball in Pd coated Cu wire
2017 IEEE 19th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2017, p.1-5
2017
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3.3V 128Mb multi-level NAND flash memory for mass storage applications
Digest of technical papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference, 1996, Vol.39, p.32-33
1996
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28.2 A 400-to-1000nm 24μ W Monolithic PPG Sensor with 0.3A/W Spectral Responsivity for Miniature Wearables
2021 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC), 2021, Vol.64, p.1-3
2021
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A protection system with alternative sensing levels of the fault currents
2011 International Conference on Advanced Power System Automation and Protection, 2011, Vol.1, p.704-705
2011
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Design, Fabrication and Characterization of Asymmetric Fabry-Perot Modulator for Large Size Optical Shutter
2010 Fifth IEEE International Symposium on Electronic Design, Test & Applications, 2010, p.35-38
2010
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Tilt detection and stable approach methods for near field recording
2009 Optical Data Storage Topical Meeting, 2009, p.25-27
2009
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High-speed characteristics of VCSELs and RCE-PDs based on intracavity contacted structure
2008 Asia Optical Fiber Communication & Optoelectronic Exposition & Conference, 2008, p.1-3
2008
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Comparison of Metal Distribution and Bonding Characteristics according to FAB Formation Conditions
2019 IEEE 21st Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), 2019, p.706-710
2019
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A 3.3 V 128 Mb multi-level NAND flash memory for mass storage applications
1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC, 1996, p.32-33
1996
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