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Effects of Recess Depth Under the Gate Area on the V th -Shift for Fabricating Normally-Off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2020-07, Vol.20 (7), p.4170-4175
2020
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Thermal Properties of Schottky Barrier Diode on AlGaN/GaN Heterostructures on Chemical Vapor Deposition Diamond
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2019-10, Vol.19 (10), p.6119-6122
2019
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Characteristics of GaN-Based Nanowire Gate-All-Around (GAA) Transistors
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2020-07, Vol.20 (7), p.4282-4286
2020
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The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018-11, Vol.18 (11), p.7484-7488
2018
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Performance Analysis of GaN Capping Layer Thickness on GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018-07, Vol.18 (7), p.4580-4587
2018
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Effects of Undoped GaN Capping Layer on p-GaN Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2016-11, Vol.16 (11), p.11386-11390
2016
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Hybrid AlGaN/GaN-ZnO-Nanowire Gas Sensors
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011-05, Vol.11 (5), p.3938-3942
2011
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Gate Length Scaling Effect on High-Electron Mobility Transistors Devices Using AlGaN/GaN and AlInN/AlN/GaN Heterostructures
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2014-08, Vol.14 (8), p.6243-6246
2014
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Open Access
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Long-lived excitons in GaN/AlN nanowire heterostructures
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2015-05, Vol.91 (20), Article 205440
2015
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