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Total ionizing dose effects in junctionless accumulation mode MOSFET
Applied physics. A, Materials science & processing, 2021-03, Vol.127 (3), Article 189
2021
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Impact of barrier layer thickness on DC and RF performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Applied physics. A, Materials science & processing, 2023-08, Vol.129 (8), Article 563
2023
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Novel junctionless electrolyte-insulator-semiconductor field-effect transistor (JL EISFET) and its application as pH/biosensor
Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2017-08, Vol.23 (8), p.3149-3159
2017
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