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Improvment crystallinity of SiC films by addition of CF4 in HFCVD
Journal of crystal growth, 2004-06, Vol.267 (1-2), p.173-176
2004
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Growth of laser single-crystals Er:YVO4 by floating zone method
Journal of crystal growth, 2000-12, Vol.220 (4), p.543-547
2000
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MgO-doping effects on the congruent composition of LiNbO3
Journal of crystal growth, 1991-10, Vol.114 (1-2), p.87-91
1991
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The influence of deposition temperature on growth mode, optical and mechanical properties of ZnO films prepared by the ALD method
Journal of crystal growth, 2013-03, Vol.366, p.43-46
2013
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The influence of AlN buffer layer thickness on the properties of GaN epilayer
Journal of crystal growth, 2004-07, Vol.268 (1), p.24-29
2004
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GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching
Journal of crystal growth, 2016-04, Vol.440, p.96-101
2016
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Improvement of fast homoepitaxial growth and defect reduction techniques of thick 4H-SiC epilayers
Journal of crystal growth, 2019-01, Vol.505, p.1-4
2019
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Growth of type II strained layer superlattice, bulk InAs and GaSb materials for minority lifetime characterization
Journal of crystal growth, 2011-11, Vol.334 (1), p.103-107
2011
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
Journal of crystal growth, 2011, Vol.314 (1), p.141-145
2011
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Growth of (1 0 1¯ 3¯ ) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
Journal of crystal growth, 2009-08, Vol.311 (17), p.4153-4157
2009
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Silver nanowires with five-fold symmetric cross-section
Journal of crystal growth, 2005-04, Vol.276 (3), p.606-612
2005
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Volume production of high quality SiC substrates and epitaxial layers: Defect trends and device applications
Journal of crystal growth, 2012-08, Vol.352 (1), p.39-42
2012
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Preparation, characterization and third order nonlinear optical properties of the bis(tetrabutylammonium)-[Cd(dmit)2] (dmit=2-thioxo-1,3-dithiol-4,5-dithiolate) for all-optical switching applications at blue–green light band
Journal of crystal growth, 2012-10, Vol.356, p.10-16
2012
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Growth and characterization of axially periodic Zn2SnO4 (ZTO) nanostructures
Journal of crystal growth, 2004-06, Vol.267 (1-2), p.177-183
2004
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Ammonothermal growth of GaN crystals in alkaline solutions
Journal of crystal growth, , Vol.287 (2), p.376-380
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  • BibTeX
Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
Journal of crystal growth, 2012-06, Vol.348 (1), p.25-30
2012
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  • BibTeX
Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition
Journal of crystal growth, 2018-12, Vol.504, p.7-12
2018
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  • BibTeX
Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching
Journal of crystal growth, 2020-02, Vol.531, p.125359, Article 125359
2020
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Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer
Journal of crystal growth, 2004-10, Vol.270 (3-4), p.316-321
2004
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  • BibTeX
Effect of traveling magnetic field on separation and purification of Si from Al–Si melt during solidification
Journal of crystal growth, 2015-11, Vol.429, p.68-73
2015
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  • BibTeX
Effect of sub-grain boundaries in CdZnTe on HgCdTe film grown by molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 2023-07, Vol.614, p.127240, Article 127240
2023
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Open Access
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  • BibTeX
Undercooling growth and magnetic characterization of ferromagnetic shape memory alloy Ni2FeGa single crystals
Journal of crystal growth, 2014-02, Vol.388, p.107-111
2014
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  • BibTeX
Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Journal of crystal growth, 2013-06, Vol.372, p.43-48
2013
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Nanostructured ZnO: From monodisperse nanoparticles to nanorods
Journal of crystal growth, 2007-07, Vol.305 (1), p.162-166
2007
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  • BibTeX
The influence of growth temperature on 4H-SiC epilayers grown on different off-angle (0001) Si-face substrates
Journal of crystal growth, 2019-02, Vol.507, p.175-179
2019
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