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A 0.1- mu m gate Al/sub 0.5/In/sub 0.5/As/Ga/sub 0.5/In/sub 0.5/As MODFET fabricated on GaAs substrates

IEEE transactions on electron devices, 1988-07, Vol.35 (7), p.818-823

1988

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IEEE_Xplore

A 0.1 PS Resolution Coarse-Fine Time-to-Digital Converter with 2.21 PS Single-Shot Precision

Huang, Huihua

2018

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ProQuest

0.125 mm3 spatial resolution steady-state MR angiography of the thighs with a blood pool contrast agent using the quadrature body coil only at 1.5 Tesla

Journal of magnetic resonance imaging, 2014-10, Vol.40 (4), p.996-1001

2014

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0.13-[mu]m CMOS Phase Shifters for X-, Ku-, and K-Band Phased Arrays

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-11, Vol.42 (11), p.2535

2007

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0.13-μm CMOS phase shifters for X-, Ku-, and K-band phased arrays

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-11, Vol.42 (11), p.2535-2546

2007

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0.13- \mum CMOS Phase Shifters for X-, Ku-, and K-Band Phased Arrays

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-11, Vol.42 (11), p.2535-2546

2007

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IEEE_Xplore

A 0.13 /spl mu/m DRAM technology for giga bit density stand-alone and embedded DRAMs

2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, p.10-11

2000

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IEEE_Xplore

0.13/spl mu/m low voltage logic based RF CMOS technology with 115GHz f/sub T/ and 80GHz f/sub MAX

33rd European Microwave Conference Proceedings (IEEE Cat. No.03EX723C), 2003, Vol.2, p.683-686 vol.2

2003

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IEEE_Xplore

0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133

2020

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A 0.13 μm CMOS ΔΣ fractional-N frequency synthesizer for WLAN transceivers

Journal of semiconductors, 2011-10, Vol.32 (10), p.105005

2011

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0.13 μm Low Voltage Logic Based RF CMOS Technology with 115GHz fT and 80GHz fMAX

2003 33rd European Microwave Conference, 2003, p.683-686

2003

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IEEE_Xplore

A 0.13μm CMOS 5-MHz BW 47-dB SNDR all-digital time-mode first-order as ADC with 3-bit gated VCO quantizer

2015 9th International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ELECO), 2015, p.29-32

2015

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A 0.14mW/Gbps high-density capacitive interface for 3D system integration

Proceedings of the IEEE 2005 Custom Integrated Circuits Conference, 2005, 2005, p.101-104

2005

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IEEE_Xplore

0.15 mm2, DC-70GHz, Graphene-Based Power Detector with Improved Sensitivity and Dynamic Range

2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS, 2018, p.1519-1522

2018

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IEEE_Xplore

A 0.15-μm CMOS baseband LSI employing sleep mode with clock-offset compensation for M2M wireless sensor networks

IEEJ transactions on electrical and electronic engineering, 2015-09, Vol.10 (5), p.576-584

2015

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0.15-μm T-gate In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz

中国物理B：英文版, 2013 (12), p.522-526

钟英辉张玉明张义门王显泰吕红亮刘新宇金智

2013

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0.16 mW, 7-70 GHz distributed power detector with 75 dB voltage sensitivity in 130 nm standard CMOS technology

2017 12th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2017, p.13-16

2017

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A 0.18-I14m CMOS 1.25-Gbps Automatic-Gain-Control Amplifier

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2008-01, Vol.55 (2)

2008

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0.18 micrometers CMOS piezoelectric impedance-based structural health monitoring integrated circuit design

Wang, Shirui

2010

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ProQuest

0.18 micron CMOS IP core design and methodology

Schrey, Joseph Steven

2003

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ProQuest

0.18 mm 21-27 GHz CMOS UWB LNA with 9.3±1.3 dB gain and 103.9±8.1 ps group delay

Electronics letters, 2008-08, Vol.44 (17), p.1

2008

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A 0.18- \mu} CMOS 1.25-Gbps Automatic-Gain-Control Amplifier

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2008-02, Vol.55 (2), p.136-140

2008

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0.18 mu m 3.1-10.6 GHz CMOS UWB LNA with 11.4 plus or minus 0.4 dB gain and 100.7 plus or minus 17.4 ps group-delay

Electronics letters, 2007-11, Vol.43 (24), p.1-1

2007

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A 0.18-[mu]m CMOS 1.25-Gbps Automatic-Gain-Control Amplifier

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2008-02, Vol.55 (2), p.136-140

2008

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A 0.18 μm CMOS 3–5 GHz broadband flat gain low noise amplifier

Journal of semiconductors, 2010-02, Vol.31 (2), p.025003

2010

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