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  • BibTeX
Scaling the vertical tunnel FET with tunnel bandgap modulation and gate workfunction engineering
IEEE transactions on electron devices, 2005-05, Vol.52 (5), p.909-917
2005
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A simulation approach to optimize the electrical parameters of a vertical tunnel FET
IEEE transactions on electron devices, 2005-07, Vol.52 (7), p.1541-1547
2005
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Vertical tunnel field-effect transistor
IEEE transactions on electron devices, 2004-02, Vol.51 (2), p.279-282
2004
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Fringing-Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field-Effect Transistor With High- \kappa Gate Dielectrics
IEEE transactions on electron devices, 2009-01, Vol.56 (1), p.100-108
2009
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Improved Reliability by Reduction of Hot-Electron Damage in the Vertical Impact-Ionization MOSFET (I-MOS)
IEEE electron device letters, 2007-01, Vol.28 (1), p.65-67
2007
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Fringing-Induced Drain Current Improvement in the Tunnel Field-Effect Transistor With High- [Formula Omitted] Gate Dielectrics
IEEE transactions on electron devices, 2009-01, Vol.56 (1), p.100-108
2009
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Sub-50 nm high performance PDBFET with impact ionization
Thin solid films, 2006-06, Vol.508 (1), p.323-325
2006
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