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Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for in-situ identification of roughness morphologies evolving during reactive ion etching (RIE)
Applied surface science, 2023-02, Vol.611, p.155769, Article 155769
2023
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Optoelectrowetting (OEW) with push-actuation of microdroplets at small frequencies and OEW equations revisited
Sensors and actuators. A. Physical., 2022-02, Vol.334, p.113331, Article 113331
2022
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High shape-accuracy of surface roughnesses upon nano-moulding with optical elastomers
Optical materials, 2021-08, Vol.118, p.111230, Article 111230
2021
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Glass surface modification by lithography-free reactive ion etching in an Ar/CF4-plasma for controlled diffuse optical scattering
Surface & coatings technology, 2011-07, Vol.205, p.S419-S424
2011
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Evanescent-field fiber sensor for the water content in lubricating oils with sensitivity increase by dielectrophoresis
Sensors and actuators. A. Physical., 2012-09, Vol.184, p.93-97
2012
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An improved shooting approach for solving the time-independent Schrödinger equation for III/V QW structures
Physics letters. A, 2001-07, Vol.286 (2), p.199-204
2001
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Monitoring of (reactive) ion etching (RIE) with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment
Applied surface science, 2015-02, Vol.328, p.120-124
2015
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Influence of plasma composition on reflectance anisotropy spectra for in situ III–V semiconductor dry-etch monitoring
Applied surface science, 2015-12, Vol.357, p.530-538
2015
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Compact dynamic microfluidic iris for active optics
Microelectronic engineering, 2011-08, Vol.88 (8), p.1772-1774
2011
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Dependence of the fused-silica etch rate on the etch mask opening diameter
Microelectronic engineering, 2013-12, Vol.112, p.10-13
2013
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GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 μm
Journal of crystal growth, 2014-10, Vol.404, p.48-53
2014
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GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710meV and an emission wavelength of 1.3µm
Journal of crystal growth, 2014-10, Vol.404, p.48-53
2014
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GaSb quantum dots on GaAs with high localization energy of 710 meV and an emission wavelength of 1.3 µm
Journal of crystal growth, 2014-10, Vol.404, p.48-53
2014
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Self-pulsation in broad area lasers with transverse-mode selective feedback
Optics communications, 2006-09, Vol.265 (2), p.642-648
2006
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Self-pulsation in broad area lasers with transverse-mode selective feedback
Optics communications, 2006, Vol.265 (2), p.642-648
2006
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X-ray studies and time-resolved photoluminescence on optically pumped antimonide-based midinfrared type-II lasers
Spectrochimica acta. Part A, Molecular and biomolecular spectroscopy, 2004-12, Vol.60 (14), p.3387-3392
2004
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