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Two-dimensional hole gas in SiGe heterostructures: electrical properties and field effect applications
Selected Topics in Group IV and II–VI Semiconductors, 1996, p.353-361
1996
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Experimental and physics-based modeling assessment of strain induced mobility enhancement in FinFETs
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2009, p.1-4
2009
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Indication of Non-equilibrium Transport in SiGe p-MOSFETs
30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, p.224-227
2000
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Accurate effective mobility extraction in SOI MOS transistors
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, p.31-34
2009
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Channel backscattering characteristics of high performance germanium pMOSFETs
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, p.7-10
2008
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Stress in Thin Layers Applied by Substrate Bending; Calibration and Potentialities
MRS proceedings, 1993, Vol.308, Article 91
1993
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The role of interface states in the low temperature mobility of hafnium-oxide gated Ge-pMOSFETs and the effect of a hydrogen anneal
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, p.19-22
2008
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Anomalous Ge diffusion effects during Ge-condensation
2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, p.207-210
2008
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Maximum entropy mobility spectrum analysis for magnetotransport characterization of semiconductor multilayer structures
Proceedings. International Semiconductor Conference, 2002, Vol.2, p.415-418 vol.2
2002
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P-Si/sub 0.3/Ge/sub 0.7/and p-Si/sub 0.2/Ge/sub 0.8/ MOSFETs of enhanced performance
ESSDERC '03. 33rd Conference on European Solid-State Device Research, 2003, 2003, p.557-560
2003
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Si/Si(0.64)Ge(0.36)/Si pMOSFETs with Enhanced Voltage Gain and Low 1/f Noise
31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, p.179-182
2001
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Electrochemical capacitance–voltage depth profiling of heavily boron-doped silicon
Selected Topics in Group IV and II–VI Semiconductors, 1996, p.109-112
1996
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Enhanced Velocity Overshoot and Transconductance in Si/Si(0.64)Ge(0.36)/Si pMOSFETs - Predictions for Deep Submicron Devices
31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, p.199-202
2001
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Photoluminescence and Raman spectroscopy of Si/Si1−xGex quantum dots
Selected Topics in Group IV and II–VI Semiconductors, 1996, p.280-284
1996
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Observation of piezoelectric-like behaviour in coherently strained B-doped (100) SiGe/Si heterostructures
Selected Topics in Group IV and II–VI Semiconductors, 1996, p.382-385
1996
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