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4H-SiC Single Photon Avalanche Diode for 280nm UV Applications
Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.1203-1206
2009
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Electrical properties of p- and n-type silicon nanowires
Conference Digest [Includes 'Late News Papers' volume] Device Research Conference, 2004. 62nd DRC, 2004, p.23-24 vol.1
2004
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Top-gated field effect devices using oxidized silicon nanowires
63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05, 2005, Vol.1, p.159-160
2005
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H2 etching and epitaxial growth on 4H-SiC boule domes
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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Top-gated field effect transistors fabricated using thermally-oxidized silicon nanowires synthesized by vapor-liquid solid growth
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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Evolution of Basal Plane Dislocations during 4H-SiC Epitaxial Growth
Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.317-320
2009
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Synthesis and characterization of group IV semiconductor nanowires by vapor-liquid-solid growth
2005
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Inversion-mode Operation of Thermally-oxidized Modulation-doped Silicon Nanowire Field Effect Devices
2006 64th Device Research Conference, 2006, p.175-176
2006
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High-Performance Nanomechanical Oscillators Fabricated by Bottom-up Integration of Silicon Nanowires
2006 64th Device Research Conference, 2006, p.185-186
2006
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Etch rates for Si-face 4H-SiC using H2 and a C3H8 partial pressure
2007 International Semiconductor Device Research Symposium, 2007, p.1-2
2007
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