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Influence of Hydrogen Permeability of Liner Nitride Film on Program/Erase Endurance of Split-Gate Type Flash EEPROMS
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual, 2007, p.190-196
2007
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Current Understanding of the Transport Behavior of Hydrogen Species in MOS Stacks and Their Relation to Reliability Degradation
ECS transactions, 2011, Vol.35 (4), p.55-72
2011
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A Ta2O5 solid-electrolyte switch with improved reliability
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2007, p.38-39
2007
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A novel strategy for ideal MOS stack of high dielectric reliability
2013 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2013, p.62-68
2013
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Structural Characterization of ORR Active Surface Niobium Oxides on Partially Oxidized Nb Carbonitrides
ECS transactions, 2011, Vol.35 (32), p.77-83
2011
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Reliability driven guideline for BEOL Optimization: Protecting MOS stacks from hydrogen-related impurity penetration
2012 IEEE International Conference on IC Design & Technology, 2012, p.1-4
2012
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New degradation mode of program disturb immunity of sub 90-nm node split-gate SONOS memory
2008 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2008, p.699-700
2008
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Effect of ReRAM-stack asymmetry on read disturb immunity
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.134-138
2009
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Improvement of Data Retention Time Property by Reducing Vacancy-Type Defect in DRAM Cell Transistor
2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2006, p.695-696
2006
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Impact of mechanical stress on interface trap generation in Flash EEPROMs
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.250-256
2005
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Impact of Crystalline Phase of Ni-FUSI Gate Electrode on BTI and TDDB Reliability of HfSiON MOSFETs
2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers, 2006, p.26-27
2006
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Impact of Crystalline Phase of Ni-Full-Silicide Gate Electrode on TDDB Reliability of HfSiON Gate Stacks
2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2006, p.195-199
2006
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Suppression of lateral charge redistribution using advanced impurity trap memory for improving high temperature retention
2006 International Electron Devices Meeting, 2006, p.1-4
2006
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Ultra-uniform threshold voltage in SONOS-type non-volatile memory with novel charge trap layer formed by plasma nitridation
2006 21st IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 2006, p.70-71
2006
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