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Electro-optical intersubband applications an modulators at telecommunication wavelengths based on GaN/AlN quantum wells
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2008, Vol.205 (5), p.1093-1095
2008
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High performance and high reliability AIGaN/GaN HEMTs
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2009, Vol.206 (6), p.1135-1144
2009
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High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AIGaN underlying layer
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2009, Vol.206 (6), p.1199-1204
2009
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High-efficiency CIGS submodules : Adventures in Cu-chalcogenide solar cells
Progress in photovoltaics (Print), 2012, Vol.20 (5), p.595-599
2012
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2D network simulation and luminescence characterization of Cu(In,Ga)Se2 thin film modules : Adventures in Cu-chalcogenide solar cells
Progress in photovoltaics (Print), 2012, Vol.20 (5), p.600-605
2012
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Implementation of the G a N lateral polarity junction in a MESFET utilizing polar doping selectivity
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2010, Vol.207 (1), p.45-48
2010
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Non-volatile run-time field-programmable gate arrays structures using thermally assisted switchin magnetic random access memories
IET computers & digital techniques (Print), 2010, Vol.4 (3), p.211-226
2010
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25th EU PVSEC / WCPEC-5, Valencia, Spain, 2010
Progress in photovoltaics (Print), 2011, Vol.19 (7)
2011
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Kondo effects in a C6o single-molecule transistor
Physica status solidi. B. Basic research, 2008, Vol.245 (10), p.1994-1997
2008
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Tunable Phosphorescent Emission through Energy Transfer within Multilayer Thin Films Based on a Carbazole-Based Host and Ir(III)-Complex Guest Systema
Macromolecular rapid communications, 2009, Vol.30 (14), p.1232-1237
2009
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Study of the electronic properties basic solid state physics of GaAs-based atomic layer doped field effect transistor (ALD-FET) under the influence of hydrostatic pressure
Physica status solidi. B. Basic research, 2009, Vol.246 (3), p.581-585
2009
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Effects of post-annealing on (110) applications and materials science Cu2O epitaxial films and origin of low mobility in Cu2O thin-film transistor
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2009, Vol.206 (9), p.2192-2197
2009
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Electrocatalytic properties of hybrid palladium―gold/multi-walled carbon nanotube materials in fuel cell applications : Novel materials for alternative energy sources: Hydrogen technology, fuel cells and Lithium batteries
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2011, Vol.208 (8), p.1778-1782
2011
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26th EU PVSEC, Hamburg, Germany, 2011
Progress in photovoltaics (Print), 2012, Vol.20 (6)
2012
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Conjugated Triphenylene Polymers for Blue OLED Devicesa
Macromolecular rapid communications, 2009, Vol.30 (14), p.1279-1283
2009
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Efficiency and aging comparison between N, N'-bis (3-methylphenyl)-N, N'-diphenylbenzidine (TPD) and N, N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N, N'-diphenyll-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPD) based OLED devices
Macromolecular symposia, 2007, p.311-317
2007
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High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AIN layer on sapphire substrate
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2007, Vol.204 (6), p.2000-2004
2007
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Direct optical measurement of hot-phonons in active AIGaN/GaN devices
Physica status solidi. B. Basic research, 2008, Vol.245 (5), p.910-912
2008
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Deterministic simulation of transport in MOSFETs by coupling Wigner, Poisson and Schr6dinger equations
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2008, Vol.205 (11), p.2518-2521
2008
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Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2008, Vol.205 (1), p.9-82
2008
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Very strong nonlinear optical absorption in green GalnN/GaN multiple quantum well structures
Physica status solidi. B. Basic research, 2008, Vol.245 (5), p.916-919
2008
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Amorphous Carbazole-based (Co)polymers for OFET Applicationa
Macromolecular rapid communications, 2009, Vol.30 (14), p.1258-1262
2009
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Gate-lag and drain-lag effects in (GaN)/InAIN/GaN and InAIN/AIN/Gan HEMTs
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2007, Vol.204 (6), p.2019-2022
2007
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Integration of enhancement and depletion-mode AlGaN/Gan MIS-HEFTs by fluoride-based plasma treatment
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2007, Vol.204 (6), p.2023-2027
2007
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Time-resolved nanosecond sub-micron resolution thermal analysis of high-power AlGaN/GaN HEFTs
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Print), 2007, Vol.204 (6), p.2014-2018
2007
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