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A VLSI-compatible high-speed silicon photodetector for optical data link applications
IEEE transactions on electron devices, 1996-07, Vol.43 (7), p.1054-1060
1996
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A gate-quality dielectric system for SiGe metal-oxide-semiconductor devices
IEEE electron device letters, 1991-05, Vol.12 (5), p.246-248
1991
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Noise performance of Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x/ FETs
IEEE transactions on electron devices, 1995-10, Vol.42 (10), p.1841-1846
1995
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An analytical model of current-voltage characteristics and d.c. small-signal parameters for Si/Si 1− xGe x FETs
Solid-state electronics, 1994, Vol.37 (8), p.1570-1572
1994
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Cyclotron effective mass of holes in strained Si 1− xGe x/Si quantum well structures
Surface science, 1994, Vol.305 (1), p.275-279
1994
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An analytical model of current-voltage characteristics and d.c. small-signal parameters for Si/Si1−xGex FETs
Solid-state electronics, 1994-08, Vol.37 (8), p.1570-1572
1994
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The influence of transit-time effects on the optimum design and maximum oscillation frequency of quantum well oscillators
IEEE transactions on electron devices, 1988-04, Vol.35 (4), p.405-413
1988
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Microwave and millimeter-wave QWITT diode oscillators
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 1989-12, Vol.37 (12), p.1933-1941
1989
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Si/SiGe heterostructures grown on SOI substrates by MBE for integrated optoelectronics
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.936-942
1991
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Cyclotron effective mass of holes in strained Si1-xGex/Si quantum well structures
Surface science, 1994-03, Vol.305 (1-3), p.275-279
1994
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Dopant incorporation in epitaxial germanium grown on Ge(100) substrates by MBE
Journal of crystal growth, 1991-05, Vol.111 (1), p.847-855
1991
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A new transit-time device using quantum-well injection
IEEE electron device letters, 1987-04, Vol.8 (4), p.129-131
1987
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Cross-sectional scanning tunneling microscopy of MBE-grown Si p-n junctions and Si/SiGe superlattices
Journal of crystal growth, 1993-02, Vol.127 (1), p.435-439
1993
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Monolithic millimetre-wave oscillator using a transmission line periodically loaded by QWITT diodes
Electronics letters, 1988-05, Vol.24 (11), p.666-667
1988
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Influence of MBE growth and rapid thermal annealing conditions on the electrical properties of normal and inverted AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT structures
IEEE transactions on electron devices, 1988-12, Vol.35 (12), p.2440
1988
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Microwave frequency operation of quantum-well injection transit time (QWITT) diode
Electronics letters, 1988, Vol.24 (24), p.1473-1474
1988
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  • BibTeX
Impedance switching effects in GaAs/AlAs barrier structures
Electronics letters, 1987, Vol.23 (18), p.926-927
1987
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  • BibTeX
Integrated waveguide-photodetector using Si/SiGe multiple quantum wells for long wavelength applications
International Technical Digest on Electron Devices, 1990, p.637-640
1990
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Microwave and millimeter wave QWITT diode oscillator
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1989, p.487-490 vol.1
1989
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High performance 0.25 mu m p-MOSFETs with silicon-germanium channels for 300 K and 77 K operation
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest], 1991, p.25-28
1991
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A Self Oscillating Qwitt Diode Mixer
1989 19th European Microwave Conference, 1989, p.715-718
1989
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Si/SiGe p-Channel MOSFETs
1991 Symposium on VLSI Technology, 1991, p.103-104
1991
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A high-speed silicon metal-semiconductor-metal photodetector fully integrable with (Bi)CMOS circuits
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest], 1991, p.187-190
1991
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Characterization of devices fabricated in films grown at low temperature by atmospheric pressure CVD
International Electron Devices Meeting 1991 [Technical Digest], 1991, p.451-454
1991
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Power-optimized design of quantum well oscillators
1987 International Electron Devices Meeting, 1987, p.62-65
1987
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