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Erratum: "Preparation of intrinsic and N-doped p -type ZnO thin filmsby metalorganic vapor phase epitaxy" [ Appl. Phys. Lett. 87 , 213103 ( 2005 )]
Applied physics letters, 2006-11, Vol.89 (21), p.219901-219901-1
2006
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Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVDElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c6ra10696j
2016-06
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Preparation of intrinsic and N-doped p -type ZnO thin filmsby metalorganic vapor phase epitaxy
Applied physics letters, 2005-11, Vol.87 (21), p.213103-213103-3
2005
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Visual-infrared electroluminescence emission from Zn O ∕ Ga As heterojunctions grown by metal-organic chemical vapor deposition
Applied physics letters, 2007-06, Vol.90 (24), p.243504-243504-3
2007
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InGaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser
Hong wai yu hao mi bo xue bao, 1996-06, Vol.15 (3), p.218-220
1996
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Learning curve analysis of 73 cases of central pancreatectomy
Zhōnghuá zhŏngliú zázhì, 2020-12, Vol.42 (12), p.1020
2020
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