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A 0.008‐mm2, 35‐μW, 8.87‐ps‐resolution CMOS time‐to‐digital converter using dual‐slope architecture
International journal of circuit theory and applications, 2017-04, Vol.45 (4), p.466-482
2017
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A 0.01-8-GHz (12.5 Gb/s) 4 \,\times\,4 CMOS Switch Matrix
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386
2012
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A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386
2012
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0.013 mm2 and Low-power 10 Gb/s Transimpedance Amplifier for Short-reach Optical Interconnects
Microwave and optical technology letters, 2013-10, Vol.55 (10), p.2484-2487
2013
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A 0.0325-mm² 114-to-147-GHz 6-Bit Passive Vector-Modulated Phase Shifter With MN-Embedded Isolated Power Combiner Achieving
IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2023-01, Vol.70 (11), p.4394
2023
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A 0.0325-mm ^2 114-to-147-GHz 6-Bit Passive Vector-Modulated Phase Shifter With MN-Embedded Isolated Power Combiner Achieving 3.7 ^$ RMS Phase Error in 65-nm CMOS
IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2023-08, p.1-12
2023
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A 0.0325-mm² 114-to-147-GHz 6-Bit Passive Vector-Modulated Phase Shifter With MN-Embedded Isolated Power Combiner Achieving <3.7° RMS Phase Error in 65-nm CMOS
IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2023-11, Vol.70 (11), p.4394-4405
2023
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A 0.08 /spl mu/m/sup 2/-sized 8F/sup 2/ stack DRAM cell for multi-gigabit DRAM
2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303), 2002, p.56-57
2002
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A 0.1-1 GHz 10-W RF power silicon DMOSFET amplifier using feedback
1994
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A 0.1–4 GHz SDR receiver with reconfigurable 10–100 MHz signal bandwidth in 65 nm CMOS
Analog integrated circuits and signal processing, 2013-12, Vol.77 (3), p.567-582
2013
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0.1-42 GHz InP DHBT distributed amplifiers with 35 dB gain and 15 dBm output
Electronics letters, 2003-10, Vol.39 (22), p.1-1
2003
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Open Access
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0.1 Grams of Sub-Cutaneous Adipose Tissue (SCAT) as Source of Adult Multipotent Mesenchymal Stromal Cells (MSC) for Cell-Based Therapies
Blood, 2007-11, Vol.110 (11), p.4915-4915
2007
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0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz
Electronic design, 1997-12, Vol.45 (27), p.34
1997
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0.1 ppm four‐terminal resistance bridge for use with a dilution refrigerator
Review of scientific instruments, 1980-11, Vol.51 (11), p.1516-1522
1980
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A 0.1-/spl mu/m delta-doped MOSFET fabricated with post-low-energy implanting selective epitaxy
IEEE transactions on electron devices, 1998-04, Vol.45 (4), p.809-814
1998
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0.1 /spl mu/m delta-doped MOSFET using post low-energy implanting selective epitaxy
Proceedings of 1994 VLSI Technology Symposium, 1994, p.19-20
1994
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0.1 /spl mu/m RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, p.667-670
2002
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A 0.1 to 2.7‐GHz SOI SP8T antenna switch adopting body self‐adapting bias technique for low‐loss high‐power applications
International journal of circuit theory and applications, 2018-04, Vol.46 (4), p.827-841
2018
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  • BibTeX
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
2002
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  • BibTeX
A 0-10GHz SP16T MEMS switch for switched beam satellite antenna systems
2014 44th European Microwave Conference, 2014, p.195-198
2014
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A 0.12- }^ 2.4-GHz CMOS Inductorless High Isolation Subharmonic Mixer With Effective Current-Reuse Transconductance
IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2015-08, Vol.63 (8), p.2427-2437
2015
Open Access
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A 0.13 ${\mu}m$ CMOS UWB RF Transmitter with an On-Chip T/R Switch
ETRI journal, 2008, Vol.30 (4), p.526-534
2008
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A 0.13μm dual-band common-gate LNA using active post distortion for mobile WiMAX
Microelectronics, 2014-07, Vol.45 (7), p.921-929
2014
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A 0.13-μm SiGe BiCMOS LNA for 24-GHz automotive short-range radar
2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, 2008, p.510-513
2008
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A 0.13 mum CMOS UWB RF Transmitter with an On-Chip T/R Switch
ETRI journal, 2008-08, Vol.30 (4), p.526-534
2008
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