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Comprehensive device modeling and performance analysis of (Cs, FA)Pb(I, Br)3 based perovskite–silicon tandem solar cells
AIP advances, 2024-09, Vol.14 (9)
2024
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Influence of Transport Mechanism and Defect Behavior on Leakage Current in 4H-SiC JBS Diodes After Neutron Irradiation
IEEE transactions on electron devices, 2024-08, p.1-6
2024
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X-ray detector with internal gain based on a SiC npn structure
IEEE electron device letters, 2024-08, p.1-1
2024
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Advancements in CMOS-Compatible Silicon Nitride Optical Modulators via Thin-Film Crystalline or Amorphous Silicon p–n Junctions
Photonics, 2024-08, Vol.11 (8), p.762
2024
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Tunnel Junction-Enabled AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors With All n-Type Contacts
IEEE transactions on electron devices, 2024-09, p.1-5
2024
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Impact of 6.5 kV SiC MOSFET Gate Bias on Reverse Recovery Over a Wide Temperature Range
IEEE transactions on power electronics, 2024-08, p.1-6
2024
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Metallic nanofilms on Si(100) and SiO2 grown with a ruthenium precursor
Japanese Journal of Applied Physics, 2024-08, Vol.63 (8), p.085502
2024
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High-Volume SiC Epitaxial Layer Manufacturing-Maintaining High Materials Quality of Lab Results in Production
Diffusion and defect data. Solid state data. Pt. A, Defect and diffusion forum, 2024-08, Vol.434, p.149-155
2024
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Study on 1550 nm Human Eye-Safe High-Power Tunnel Junction Quantum Well Laser
Micromachines (Basel), 2024-08, Vol.15 (8), p.1042
2024
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Expanding the dose window of step-etched space-modulated JTE for ultrahigh voltage 4H-SiC devices
Microelectronics, 2024-10, Vol.152, p.106387, Article 106387
2024
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ThemaJunction Temperature
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