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Towards A Metal-Free Contact Based On Multilayer Epitaxial Graphene On 4H-SiC
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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Low-temperature annealing in O2 to annihilate the fixed charges in 4H-SiC/SiO2 interface induced by high-N-density nitridation process
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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Demonstration of EOT-Scaled FinFET Based on Thickness-Proportion Controlled HZH Superlattice Gate Stacks with Improved Thermal Stability (≥ 450 °C)
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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Photoelectric In-memory Logic and Computing Achieved in HfO2-based Ferroelectric Optoelectronic Memcapacitors
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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3D-Stacked 2T0C-DRAM Cells Using Al2O3/TiO2-Based 2DEG FETs
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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GaN-based Charge Trapping Memory with an AlN Interfacial Layer for Multi-State Operation
IEEE electron device letters, 2024-05, p.1-1
2024
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