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Impact of crystal orientation on the modulation bandwidth of InGaN/GaN light-emitting diodes
Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (4)
2018
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Manipulation of σy/κ ratio in single phase FCC solid-solutions
Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (6)
2016
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Influence of graphene-substrate interactions on configurations of organic molecules on graphene: Pentacene/epitaxial graphene/SiC
Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (7)
2014
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Band engineering of bilayer graphene by metal atoms: First-principles calculations
Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (23), p.231916-231916-3
2010
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Fundamentals and applications of metamaterials: Breaking the limits
Applied physics letters, 2023-12, Vol.123 (24)
2023
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Spontaneous assembly of ordered atomic wires with a long interwire distance on a stepped atomic template
Applied physics letters, 2013-05, Vol.102 (20)
2013
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High-bandwidth radio frequency Coulter counter
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (18), p.184106-184106-3
2005
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Reduced leakage currents and possible charge carriers tuning in Mg-doped Ga0.6Fe1.4O3 thin films
Applied physics letters, 2012-06, Vol.100 (26)
2012
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Green semipolar III-nitride light-emitting diodes grown by limited area epitaxy
Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (4)
2016
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Photocatalytic Ohmic layered nanocomposite for efficient utilization of visible light photons
Applied physics letters, 2006-08, Vol.89 (6)
2006
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Demonstration of phosphor-free polarized white light emission from monolithically integrated semipolar InGaN quantum wells
Applied physics letters, 2015-09, Vol.107 (10)
2015
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Manipulation of σ{sub y}/κ ratio in single phase FCC solid-solutions
Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (6)
2016
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Mn-implanted dilute magnetic semiconductor InP:Mn
Applied physics letters, 2004-03, Vol.84 (13), p.2310-2312
2004
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Chemical structure of the interface between MgO films and Fe(001)
Applied physics letters, 2003-01, Vol.82 (3), p.361-363
2003
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Formation of epitaxial Au/Ni/Au ohmic contacts to p-GaN
Applied physics letters, 2002-11, Vol.81 (21), p.3978-3980
2002
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Trade-off between bandwidth and efficiency in semipolar (202¯1¯) InGaN/GaN single- and multiple-quantum-well light-emitting diodes
Applied physics letters, 2018-05, Vol.112 (19)
2018
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Correlation of optical and structural properties of light emitting porous silicon
Applied physics letters, 1993-02, Vol.62 (8), p.855-857
1993
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Impurities in dielectrics and hydrogen barriers for SrBi2Ta2O9-based ferroelectric memories
Applied physics letters, 2001-09, Vol.79 (13), p.2064-2066
2001
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Photoluminescence, Raman scattering, and infrared absorption studies of porous silicon
Applied physics letters, 1993-04, Vol.62 (15), p.1812-1814
1993
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Role of CsF on electron injection into a conjugated polymer
Applied physics letters, 2000-10, Vol.77 (15), p.2403-2405
2000
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Synthesis, electrical and photoresponse properties of vertically well-aligned and epitaxial ZnO nanorods on GaN-buffered sapphire substrates
Applied physics letters, 2005-09, Vol.87 (12)
2005
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Size effects in small oxide confined vertical-cavity surface-emitting lasers
Applied physics letters, 1996-11, Vol.69 (21), p.3152-3154
1996
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Study on interfacial properties of InGaAs and GaAs integrated with chemical-vapor-deposited high- k gate dielectrics using x-ray photoelectron spectroscopy
Applied physics letters, 2008-08, Vol.93 (6), p.062107-062107-3
2008
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Variation of the relative permittivity of charged dielectrics
Applied physics letters, 1998-01, Vol.72 (3), p.317-319
1998
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Guiding and antiguiding effects in epitaxially regrown vertical-cavity surface-emitting lasers
Applied physics letters, 1998-06, Vol.72 (22), p.2782-2784
1998
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