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The influence of laser treatment on the properties of electro-spark deposited coatings
Kovove Materialy, 2009-01, Vol.47 (1), p.31-38
2009
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MBE Growth of Mid-wave Infrared HgCdTe Layers on GaSb Alternative Substrates
Journal of electronic materials, 2015-09, Vol.44 (9), p.3180-3187
2015
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Analysis of the Quality of Sulfomolybdenum Coatings Obtained by Electrospark Alloying Methods
Materials, 2021-10, Vol.14 (21), p.6332
2021
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Assessment of Technological Capabilities for Forming Al-C-B System Coatings on Steel Surfaces by Electrospark Alloying Method
Materials, 2021-02, Vol.14 (4), p.739
2021
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Technological Features for Controlling Steel Part Quality Parameters by the Method of Electrospark Alloying Using Carburezer Containing Nitrogen—Carbon Components
Materials, 2022-09, Vol.15 (17), p.6085
2022
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Electrical transport in InAs/GaSb superlattice: role of surface states and interface roughness
Semiconductor science and technology, 2012-10, Vol.27 (10), p.105025
2012
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Design and Characterization of Fabry–Pérot MEMS-Based Short-Wave Infrared Microspectrometers
Journal of electronic materials, 2008-12, Vol.37 (12), p.1811-1820
2008
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Effect of high-density plasma process parameters on carrier transport properties in p-to-n type converted Hg0.7Cd0.3Te layer
Journal of electronic materials, 2007-08, Vol.36 (8), p.913-918
2007
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HgCdTe mid-wavelength IR photovoltaic detectors fabricated using plasma induced junction technology
Journal of electronic materials, 2000-06, Vol.29 (6), p.841-848
2000
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Vertical transport in InAs/GaSb type-II superlattices
COMMAD 2012, 2012, p.5-6
2012
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A monolithically integrated HgCdTe short-wavelength infrared photodetector and micro-electro-mechanical systems-based optical filter
Journal of electronic materials, 2005-06, Vol.34 (6), p.716-721
2005
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Characterisation of dark current in novel Hg1−xCdxTe mid-wavelength infrared photovoltaic detectors based on n-on-p junctions formed by plasma-induced type conversion
Journal of crystal growth, 2000-06, Vol.214-215, p.1106-1110
2000
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Quantum corrections to the electrical conduction in an AlGaN/GaN heterostructure
Applied physics. A, Materials science & processing, 2001-06, Vol.72 (6), p.691-698
2001
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Quantitative mobility spectrum analysis (QMSA) for Hall characterization of electrons and holes in anisotropic bands
Journal of electronic materials, 1999-05, Vol.28 (5), p.548-552
1999
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Fabrication and modelling of a prototype dual-band HgCdTe infrared detector structure
1996 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings, 1996, p.46-49
1996
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ThemaMaterials Science, Multidisciplinary
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