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Distribution of base dopant for transit time minimization in a bipolar transistor
IEEE transactions on electron devices, 1996-01, Vol.43 (1), p.170-172
1996
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BASE TRANSIT TIME MINIMIZATION WITH FIXED BASE DOPANT DOSE
Solid-state electronics, 1998-04, Vol.42 (4), p.667-670
1998
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Bounds on bipolar transistor base transit time
International journal of electronics, 1996-12, Vol.81 (6), p.643-646
1996
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Composition grading for base transit time minimization in SiGe-base heterojunction bipolar transistors
Solid-state electronics, 1993-08, Vol.36 (8), p.1161-1164
1993
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Optimum germanium profile for SiGe base HBTs
Electronics letters, 1991-07, Vol.27 (15), p.1337-1338
1991
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An improved version of the Cox and Strack technique for contact resistivity measurement
Semiconductor science and technology, 1991-11, Vol.6 (11), p.1061-1065
1991
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Simple model for front and end contact resistances
Electronics letters, 1989-09, Vol.25 (2), p.117-118, Article 117
1989
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On the source of scatter in contact resistance data
Journal of electronic materials, 1992-09, Vol.21 (9), p.917-921
1992
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A method for contact resistivity measurement using thick, uniformly doped substrates
Solid-state electronics, 1986-04, Vol.29 (4), p.461-464
1986
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Zeitschrift / SerieMolecular Physics
PublikationsformBücher
PublikationsformDissertationen
ThemaEngineering, Electrical & Electronic
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