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Photoluminescence of GaSb grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Semiconductor science and technology, 1991-01, Vol.6 (1), p.45-53
1991
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Temperature dependence of the capture cross section determined by DLTS on an MOS structure
Semiconductor science and technology, 1995-11, Vol.10 (11), p.1510-1519
1995
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On the mechanism of long-term relaxation in polycrystalline cadmium telluride and zinc telluride films
Semiconductor science and technology, 1990-05, Vol.5 (5), p.429-434
1990
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Fourier transform photoluminescence excitation spectroscopy: application to InGaAs quantum wells
Semiconductor science and technology, 1988-10, Vol.3 (10), p.1067-1073
1988
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Dark- and photoconductivity in doped and undoped zinc telluride films
Semiconductor science and technology, 1993-07, Vol.8 (7), p.1331-1336
1993
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Photoluminescence of AlxGa1-xAs near the Γ-X crossover
Semiconductor science and technology, 1987-07, Vol.2 (7), p.468-474
1987
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Oscillatory photoluminescence excitation in InGaAs/GaAs strained-layer quantum well structures
Semiconductor science and technology, 1991-01, Vol.6 (1), p.41-44
1991
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Deep-level transient spectroscopy (DLTS) analysis of defect levels in semiconductor alloys
Semiconductor science and technology, 1988-12, Vol.3 (12), p.1177-1183
1988
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XPS investigation of CdTe surfaces: effect of Ru modification
Semiconductor science and technology, 1989-10, Vol.4 (10), p.866-870
1989
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Excitation mechanisms of rare earth (Yb) luminescence in III-V semiconductors (InP)
Semiconductor science and technology, 1991-09, Vol.6 (9), p.916-923
1991
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The luminescence of the semimagnetic semiconductor Zn1-xMnxSe
Semiconductor science and technology, 1989-02, Vol.4 (2), p.71-76
1989
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The refractive index dispersion of CdSnP2 and CdSiAs2 crystals in the visible range
Semiconductor science and technology, 1992-02, Vol.7 (2), p.278-280
1992
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Near band-gap photoluminescence of the MOCVD-grown heavily Si-doped GaAs
Semiconductor science and technology, 1989-11, Vol.4 (11), p.938-942
1989
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Electro-deposited gallium arsenide film: I. Preparation, structural, optical and electrical studies
Semiconductor science and technology, 1987-04, Vol.2 (4), p.214-219
1987
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A comparison of photoconduction effects in (Al, Ga)As and GaAs/(Al, Ga)As heterostructures
Semiconductor science and technology, 1988-07, Vol.3 (7), p.633-640
1988
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Photoconductivity in InGaAs/InP quantum well heterostructures-inter-sub-band and sub-band-continuum transitions
Semiconductor science and technology, 1988-10, Vol.3 (10), p.1029-1036
1988
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Temperature dependence of the energy gap and some electrical properties of Zn2In2S5 (II) single crystals
Semiconductor science and technology, 1989-07, Vol.4 (7), p.536-542
1989
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Effects of hydrogen plasma on thin-oxide Si-SiO2 structures
Semiconductor science and technology, 1988-07, Vol.3 (7), p.686-690
1988
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Sequential and deep-level assisted tunnelling in multiple quantum well structures
Semiconductor science and technology, 1989-01, Vol.4 (1), p.41-47
1989
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Electroluminescence from a short asymmetric GaAs/AlAs superlattice
Semiconductor science and technology, 1987-12, Vol.2 (12), p.828-831
1987
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Interface properties of MIS structures prepared by plasma oxidation of n-InP
Semiconductor science and technology, 1986-08, Vol.1 (2), p.143-149
1986
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Phonon-scattering limitation of the metallic conductivity of a quasi-two-dimensional semiconductor structure
Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.58-62
1986
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