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Effect of gamma irradiation on GaN lateral Schottky barrier diodes
Journal of physics. Conference series, 2022-11, Vol.2370 (1), p.12014
2022
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The modulation of characteristics in AlGaN/GaN High electron mobility transistors (HEMTs) using multiple field plate technology
Journal of physics. Conference series, 2024-08, Vol.2819 (1), p.012014
2024
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Stepped ohmic structure of AlGaN/GaN HEMT with lower off-state leakage current
Journal of physics. Conference series, 2024-07, Vol.2807 (1), p.12015
2024
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Evaluation of p-GaN HEMTs degradation under high temperatures forward and reverse gate bias stress
Journal of physics. Conference series, 2023-11, Vol.2645 (1), p.12016
2023
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Investigation of AlGaN/GaN HEMT trap barrier height variation under mechanical stress and voltage stress
Journal of physics. Conference series, 2024-07, Vol.2810 (1), p.12006
2024
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The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method
Journal of physics. Conference series, 2022-04, Vol.2248 (1), p.12016
2022
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Investigation of Electric Field Profile and associated parameters with Embedded Metal Layer in Field Plate AlGaN/GaN HEMTs
Journal of physics. Conference series, 2022-03, Vol.2236 (1), p.12005
2022
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Increasing efficiency of GaN HEMT transistors in equipment for radiometry using numerical simulation
Journal of physics. Conference series, 2019-12, Vol.1410 (1), p.12191
2019
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A fabrication of AlGaN / AlN / GaN HEMT without annealing of ohmic contacts
Journal of physics. Conference series, 2019-10, Vol.1326 (1), p.12002
2019
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COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis
Journal of physics. Conference series, 2022-09, Vol.2340 (1), p.12045
2022
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Photoelectric properties and persistent photoconductivity of GaN-based ultraviolet photodetectors
Journal of physics. Conference series, 2023-08, Vol.2563 (1), p.12032
2023
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Simulation study on electrical properties of p-GaN gate normally-off HEMT devices affected by Al mole fraction in AlGaN barrier layer
Journal of physics. Conference series, 2022-10, Vol.2355 (1), p.12073
2022
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2D electrons and 2D plasmons in AlGaN/GaN nanostructure under highly non-equilibrium conditions
Journal of physics. Conference series, 2020-03, Vol.1482 (1), p.12022
2020
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The Kondo effect and mesoscopic quantum coherence in a 2D electron gas of magnetically undoped AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Journal of physics. Conference series, 2021-01, Vol.1758 (1), p.12007
2021
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Non-radiative coupled donor-acceptor pair recombination in nanostructures based on nitrides and related phenomena
Journal of physics. Conference series, 2018-12, Vol.1124 (4), p.41023
2018
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Mobility of a two-dimensional electron gas in the AlGaN/GaN heterostructure: simulation and analysis
Journal of physics. Conference series, 2019-12, Vol.1410 (1), p.12200
2019
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Nanoindentation of AlN, GaN, and AlGaN films grown by HVPE on SiC/Si hybrid substrates
Journal of physics. Conference series, 2021-06, Vol.1954 (1), p.12009
2021
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Electron heating in GaN/AlGaN quantum well in a longitudinal electric field
Journal of physics. Conference series, 2022-03, Vol.2227 (1), p.12011
2022
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Two-dimensional plasmons in a GaN/AlGaN heterojunction
Journal of physics. Conference series, 2019-03, Vol.1199 (1), p.12014
2019
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ECV profiling of GaN HEMT heterostructures
Journal of physics. Conference series, 2019-03, Vol.1199 (1), p.12032
2019
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Carrier mobility in the channel of AlGaN/(AlN)/GaN and InAlN/(AlN)/GaN heterostructures, limited by different scattering mechanisms: experiment and calculation
Journal of physics. Conference series, 2019-11, Vol.1400 (7), p.77009
2019
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Implementation of an artificial neural network to predict properties of MOVPE-grown AlGaN layers
Journal of physics. Conference series, 2019-03, Vol.1199 (1), p.12007
2019
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Empirical pseudo potential method for the energy gaps and optical properties of XN (X = Al, Ga, B) and their alloys materials Journal of Physics: Conference Series
Journal of physics. Conference series, 2018-09, Vol.1081 (1), p.12007
2018
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Theoretical analysis of AlGaN/GaN resonant tunnelling diodes with step heterojunctions spacer and sub-quantum well
Journal of physics. Conference series, 2017-06, Vol.864 (1), p.12022
2017
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Distributions of silicon implanted in GaN epitaxial layers
Journal of physics. Conference series, 2020-10, Vol.1658 (1), p.12012
2020
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