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Magnetoresistance and Symmetry of a Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures
JETP letters, 2024-04, Vol.119 (8), p.604-609
2024
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A design and comparative investigation of graded AlxGa1 − x N QB for W-Al0.58GaN/W-Al0.64–0.58 GaN DUV laser diode on AlN substrate
The European physical journal. D, Atomic, molecular, and optical physics, 2024-02, Vol.78 (2), Article 20
2024
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A New Method of Growing AlN, GaN, and AlGaN Bulk Crystals Using Hybrid SiC/Si Substrates
Physics of the solid state, 2019-12, Vol.61 (12), p.2342-2347
2019
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Specifics of Heat Transfer in AlxGa1 – xN/GaN Heterostructures on Sapphire
Physics of the solid state, 2020-04, Vol.62 (4), p.722-726
2020
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Normally-Off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (13), p.1039-1044
2021
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Study of the Parameters of a Two-Dimensional Electron Gas in InGaN/GaN Quantum Wells by Terahertz Plasmon Resonance
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-02, Vol.56 (2), p.50-57
2022
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Enhanced performance of solar-blind UV detectors based on Ti3C2Tx/AlGaN heterojunction
Ionics, 2024-03, Vol.30 (3), p.1785-1793
2024
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A GaN/AlGaN Resonance Bragg Structure
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2023-06, Vol.87 (6), p.782-785
2023
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Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates
Technical physics letters, 2019-07, Vol.45 (7), p.711-713
2019
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The theoretical study of the mobility of a two-dimensional electron gas in ALGaN/GaN/ALGaN double heterostructures
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2021-05, Vol.94 (5), Article 103
2021
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Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-06, Vol.56 (6), p.352-359
2022
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Controlled Formation of β-Si3N4 on Native Oxidized Silicon Wafers in Ammonia Flow
Crystallography reports, 2021-05, Vol.66 (3), p.520-524
2021
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On the Growth of Thin-Film AlGaN/GaN Epitaxial Heterostructures on Hybrid Substrates Containing Layers of Silicon Carbide and Porous Silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022-04, Vol.56 (4), p.253-258
2022
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Ohmic Contacts to Gallium Nitride-Based Structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-03, Vol.54 (3), p.317-321
2020
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  • BibTeX
Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire
Russian physics journal, 2023-03, Vol.65 (11), p.1875-1880
2023
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Characterization of Deep Levels in AlGaN|GaN HEMT by FT-DLTS and Current DLTS
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-10, Vol.54 (10), p.1296-1303
2020
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  • BibTeX
Improvement of transconductance and cut-off frequency in In0.1Ga0.9N back-barrier-based double-channel Al0.3Ga0.7N / GaN high electron mobility transistor by enhancing the drain source contact length ratio
Pramāṇa, 2020, Vol.94 (1)
2020
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A comparative study of atomic layer deposition of Al sub(2)O sub(3) and HfO sub(2) on AlGaN/GaN
Journal of materials science. Materials in electronics, 2015-07, Vol.26 (7), p.4638-4643
2015
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Thermal Stability of HfO2|AlGaN|GaN Normally-Off Transistors with Ni|Au and Pt Gate Metals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-07, Vol.55 (7), p.608-616
2021
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Nanoindentation of AlGaN Films Formed on SiC/Si Substrates Grown by the Method of Coordinated Substitution of Atoms
Mechanics of solids, 2023-08, Vol.58 (4), p.1089-1097
2023
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Band-engineered quasi-AlGaN/GaN high-electron-mobility-avalanche-transit-time (HEMATT) oscillator: electro-optical interaction study in sub-mm frequency domain
European physical journal plus, 2022-03, Vol.137 (3), p.343, Article 343
2022
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Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-03, Vol.55 (3), p.379-383
2021
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Quantum Coherence and the Kondo Effect in the 2D Electron Gas of Magnetically Undoped AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-09, Vol.54 (9), p.1150-1154
2020
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MBE AlGaN/GaN HEMT Heterostructures with Optimized AlN Buffer on Al2O3
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (16), p.2107-2110
2018
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Low-Temperature Ta/Al-Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures on Silicon Wafers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-02, Vol.53 (2), p.237-240
2019
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