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Nanosized metal grains induced electrical characteristic fluctuation in 16 nm bulk and SOI FinFET devices with TiN/HfO2 gate stack
2011 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2011, p.287-290
2011
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16-nm multigate and multifin MOSFET device and SRAM circuits
2010 International Symposium on Next Generation Electronics, 2010, p.32-35
2010
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Metal-gate work-function fluctuation in 16-nm single- and multi-fin field effect transistors with different aspect ratio
2010 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE2010), 2010, p.48-51
2010
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A comparative study of dynamic characteristics on 16-nm-gate planar CMOS and bulk FinFETs' differential amplifier
2010 International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano), 2010, p.1-2
2010
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Electrical characteristic variability in 16-nm multi-gate MOSFET current mirror circuit
2010 International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano), 2010, p.1-2
2010
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Propagation delay dependence on channel fins and geometry aspect ratio of 16-nm multi-gate MOSFET inverter
2009 1st Asia Symposium on Quality Electronic Design, 2009, p.122-125
2009
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Large-scale statistical simulation of characteristic variation in 16-nm-gate Bulk FinFET devices due to work function fluctuation
The 4th IEEE International NanoElectronics Conference, 2011, p.1-2
2011
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Intrinsic parameter fluctuations on current mirror circuit with different aspect ratio of 16-nm multi-gate MOSFET
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, 2010, p.1-2
2010
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Effect of intrinsic-parameter fluctuations on 16-nm-gate CMOS and current mirror circuit
10th IEEE International Conference on Nanotechnology, 2010, p.798-801
2010
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Random work function variation induced threshold voltage fluctuation in 16-nm bulk FinFET devices with high-k-metal-gate material
2010 14th International Workshop on Computational Electronics, 2010, p.1-4
2010
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Zeitschrift / SerieApplied Mechanics And Materials
PublikationsformTagungsberichte
ThemaFinfets
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