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Growth mechanism of Mn-doped diamond (111) layers in microwave plasma chemical vapor deposition
Journal of applied physics, 2024-02, Vol.135 (7)
2024
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Control of n-type electrical conductivity for cubic boron nitride (c-BN) epitaxial layers by Si doping
Applied physics letters, 2020-04, Vol.116 (16)
2020
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Structural analysis of cubic boron nitride (111) films heteroepitaxially grown on diamond (111) substrates
Journal of applied physics, 2019-03, Vol.125 (11)
2019
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Effects of Thermal Annealing on V‐Based Ohmic Contacts on n‐Type AlGaN with High Al Content
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2024-05
2024
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High hole concentration in Mg-doped AlN/AlGaN superlattices with high Al content
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-04, Vol.57 (4S), p.4
2018
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Surface morphology control of nonpolar m‐plane AlN homoepitaxial layers by flow‐rate modulation epitaxy
Physica Status Solidi. B: Basic Solid State Physics, 2017-02, Vol.254 (2), p.np-n/a
2017
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Plasmon Control Driven by Spatial Carrier Density Modulation in Graphene
ACS photonics, 2019-04, Vol.6 (4), p.947-952
2019
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Composition control of quinary GaInNAsSb alloy grown by molecular beam epitaxy
Physica status solidi. C, 2013-11, Vol.10 (11), p.1369-1372
2013
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Surface structures of graphene covered Cu(103)
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-10, Vol.57 (10), p.100301
2018
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Damage characteristics of n‐GaN thin film surfaces etched by N 2 plasmas
Physica status solidi. C, 2013, Vol.10 (11), p.1553-1556
2013
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Influence of Lattice Constants of GaN and InGaN on npn-Type GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2006-04, Vol.45 (4S), p.3395
2006
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Strained Thick p-InGaN Layers for GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors on Sapphire Substrates
Japanese Journal of Applied Physics, 2005-04, Vol.44 (4S), p.2722
2005
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High electron concentrations in Si-doped AlN/AlGaN superlattices with high average Al content of 80
Physica status solidi. A, Applied research, 2003-11, Vol.200 (1), p.40-43
2003
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ThemaPhysics
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