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Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels
Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (3)
2013
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Effects of AlGaN Back Barrier on AlN/GaN-on-Silicon High-Electron-Mobility Transistors
Applied physics express, 2011-12, Vol.4 (12), p.124101
2011
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High electron mobility in high-polarization sub-10 nm barrier thickness InAlGaN/GaN heterostructure
Applied physics express, 2015-10, Vol.8 (10), p.101001
2015
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A micro-electro-mechanical accelerometer based on gallium nitride on silicon
Applied physics letters, 2023-01, Vol.122 (3)
2023
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Searching for THz Gunn oscillations in GaN planar nanodiodes
Journal of applied physics, 2012-06, Vol.111 (11), p.113705-113705-9
2012
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Gallium nitride MEMS resonators: how residual stress impacts design and performances
Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.371-377
2018
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Trapping Effects Dependence on Electron Confinement in Ultrashort GaN-on-Si High-Electron-Mobility Transistors
Applied physics express, 2012-03, Vol.5 (3), p.34103
2012
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Above 600 mS/mm Transconductance with 2.3 A/mm Drain Current Density AlN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Grown on Silicon
Applied physics express, 2011-06, Vol.4 (6), p.64106
2011
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In situ epitaxial surface passivation of GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown by LP-MOCVD
Journal of crystal growth, 2007, Vol.298, p.826-830
2007
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Gallium nitride approach for MEMS resonators with highly tunable piezo-amplified transducers
2011 IEEE 24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, 2011, p.581-584
2011
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ThemaEngineering Sciences
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