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High mobility nanocrystalline silicon transistors on clear plastic substrates
IEEE electron device letters, 2006-01, Vol.27 (1), p.49-51
2006
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Efficient organic electroluminescent devices using single-layer doped polymer thin films with bipolar carrier transport abilities
IEEE transactions on electron devices, 1997-08, Vol.44 (8), p.1269-1281
1997
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Self-aligned amorphous-silicon TFTs on clear plastic substrates
IEEE electron device letters, 2006-03, Vol.27 (3), p.166-168
2006
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Amorphous Silicon Thin-Film Transistor Backplanes Deposited at 200 ^} on Clear Plastic for Lamination to Electrophoretic Displays
Journal of display technology, 2007-09, Vol.3 (3), p.304-308
2007
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Current gain-Early voltage products in heterojunction bipolar transistors with nonuniform base bandgaps
IEEE electron device letters, 1991-12, Vol.12 (12), p.661-663
1991
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Increased drain saturation current in ultra-thin silicon-on-insulator (SOI) MOS transistors
IEEE electron device letters, 1988-09, Vol.9 (9), p.460-463
1988
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The effects of base dopant outdiffusion and undoped Si1-xGex junction spacer layers in Si/Si1-xGex/Si heterojunction bipolar transistors
IEEE electron device letters, 1991-02, Vol.12 (2), p.42-44
1991
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Reduction of p+-n+ junction tunneling current for base current improvement in Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistors
IEEE electron device letters, 1991-04, Vol.12 (4), p.163-165
1991
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Graded-base Si/Si1-xGex/Si heterojunction bipolar transistors grown by rapid thermal chemical vapor deposition with near-ideal electrical characteristics
IEEE electron device letters, 1991-06, Vol.12 (6), p.303-305
1991
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A 110nm 512Mb DDR DRAM with vertical transistor trench cell
2002
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