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Ni/Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Contacts
Materials science forum, 2022-05, Vol.1062, p.411-416
2022
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High Temperature Etching for Threading Dislocation Investigation on GaN Epi-Layer
Materials science forum, 2022-05, Vol.1062, p.18-22
2022
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Metal/P-GaN Contacts on AlGaN/GaN Heterostructures for Normally-Off HEMTs
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.1170-1173
2016
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Metal/Semiconductor Contacts to Silicon Carbide: Physics and Technology
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.339-344, Article 339
2018
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Microstructure and Temperature Dependent Electrical Characteristics of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.999-1002
2015
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Current Transport Mechanisms in Au-Free Metallizations for CMOS Compatible GaN HEMT Technology
Materials science forum, 2020-07, Vol.1004, p.725-730
2020
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Electrical Properties of Thermal Oxide on 3C-SiC Layers Grown on Silicon
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.479-482
2019
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Fabrication and Characterization of Ohmic Contacts to 3C-SiC Layers Grown on Silicon
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.485-489
2019
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Electrical Properties of Graphene Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.986-989
2015
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Study of Ti/Al/Ni Ohmic Contacts to p-Type Implanted 4H-SiC
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.377-380
2018
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Trapping States in SiO2/GaN MOS Capacitors Fabricated on Recessed AlGaN/GaN Heterostructures
Materials science forum, 2016-05, Vol.858, p.1178-1181
2016
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Trapping States in SiO sub(2)/GaN MOS Capacitors Fabricated on Recessed AlGaN/GaN Heterostructures
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.1178-1181
2016
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Hot Electron Transistors Based on Graphene/AlGaN/GaN Vertical Heterostructures
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.1137-1140
2016
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Evolution of the Electrical and Structural Properties of Ti/Al/W Contacts to p-Type Implanted 4H-SiC upon Thermal Annealing
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.428-431
2015
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Comparative Study of the Current Transport Mechanisms in Ni sub(2)Si Ohmic Contacts on n- and p-Type Implanted 4H-SiC
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.665-668
2014
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Potentialities of Nickel Oxide as Dielectric for GaN and SiC Devices
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.777-780
2013
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Electrical and Structural Properties of AlGaN/GaN Heterostructures Grown onto 8°-Off-Axis 4H-SiC Epilayers
Materials science forum, 2011-03, Vol.679-680, p.808-811
2011
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