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Hole injection SiO2 breakdown model for very low voltage lifetime extrapolation
IEEE transactions on electron devices, 1994-05, Vol.41 (5), p.761-767
1994
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Reliability of thin SiO2
Semiconductor science and technology, 1994-05, Vol.9 (5), p.989-1004
1994
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Effects of temperature and defects on breakdown lifetime of thin SiO2 at very low voltages
IEEE transactions on electron devices, 1994-07, Vol.41 (7), p.1227-1232
1994
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Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor substrate current during Fowler–Nordheim tunneling stress and silicon dioxide reliability
Journal of applied physics, 1994-09, Vol.76 (6), p.3695-3700
1994
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Hole injection oxide breakdown model for very low voltage lifetime extrapolation
31st Annual Proceedings Reliability Physics 1993, 1993, p.7-12
1993
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Gate stack reliability improvements using controlled ambient processing
1997 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 35th Annual, 1997, p.7-11
1997
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