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  • BibTeX
Extended Jones matrix representation for the twisted nematic liquid-crystal display at oblique incidence
Applied physics letters, 1990-12, Vol.57 (26), p.2767-2769
1990
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Simulation of three-dimensional director structures in twisted nematic liquid crystal displays
Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (10), p.1079-1081
1993
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UV modification of surface pretilt of alignment layers for multidomain liquid crystal displays
Applied physics letters, 1995-11, Vol.67 (21), p.3108-3110
1995
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MOCVD epitaxy of β-(AlxGa1−x)2O3 thin films on (010) Ga2O3 substrates and N-type doping
Applied physics letters, 2019-09, Vol.115 (12)
2019
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Optical and electrical properties of two-dimensional palladium diselenide
Applied physics letters, 2019-06, Vol.114 (25)
2019
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Atomic scale mechanism of β to γ phase transformation in gallium oxide
Applied physics letters, 2023-06, Vol.122 (25)
2023
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Acoustic energy harvesting using resonant cavity of a sonic crystal
Applied physics letters, 2009-07, Vol.95 (1), p.013506-013506-3
2009
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Improved photoswitching response times of MoS2 field-effect transistors by stacking p-type copper phthalocyanine layer
Applied physics letters, 2016-10, Vol.109 (18)
2016
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Plasma-assisted deposition and characterization of Al2O3 dielectric layers on (001) β-Ga2O3
Applied physics letters, 2023-08, Vol.123 (8)
2023
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Band offset and electron affinity of MBE-grown SnSe2
Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (4)
2018
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Simultaneous measurement of gravity acceleration and gravity gradient with an atom interferometer
Applied physics letters, 2012-09, Vol.101 (11)
2012
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  • BibTeX
Direct observation of minority carrier lifetime improvement in InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes via interfacial layer control
Applied physics letters, 2013-04, Vol.102 (14)
2013
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Bright electroluminescence in ambient conditions from WSe2 p-n diodes using pulsed injection
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (1)
2019
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β-Ga2O3 MESFETs with insulating Mg-doped buffer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Applied physics letters, 2022-09, Vol.121 (11)
2022
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Planar and three-dimensional damage-free etching of β-Ga2O3 using atomic gallium flux
Applied physics letters, 2021-09, Vol.119 (12)
2021
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  • BibTeX
Absorption saturation in optically excited graphene
Applied physics letters, 2012-11, Vol.101 (22)
2012
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  • BibTeX
AlN thin films grown on epitaxial 3C–SiC (100) for piezoelectric resonant devices
Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14)
2010
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  • BibTeX
Spin transfer switching in dual MgO magnetic tunnel junctions
Applied physics letters, 2007-03, Vol.90 (13), p.132508-132508-3
2007
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  • BibTeX
Metal-cavity surface-emitting microlaser at room temperature
Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (25), p.251101-251101-3
2010
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High optical gain of I–VII semiconductor quantum wells for efficient light-emitting devices
Applied physics letters, 2013-03, Vol.102 (12)
2013
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Band offsets of (100) β-(AlxGa1−x)2O3/β-Ga2O3 heterointerfaces grown via MOCVD
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (25)
2020
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MOCVD growth of β-phase (AlxGa1−x)2O3 on ( 2 ¯01) β-Ga2O3 substrates
Applied physics letters, 2020-10, Vol.117 (14)
2020
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Low-resistance and high-transparency Ni/indium tin oxide ohmic contacts to p -type GaN
Applied physics letters, 2001-10, Vol.79 (18), p.2925-2927
2001
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Fast programming metal-gate Si quantum dot nonvolatile memory using green nanosecond laser spike annealing
Applied physics letters, 2012-04, Vol.100 (14), p.143501-143501-4
2012
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Room temperature slow and fast light in quantum-dot semiconductor optical amplifiers
Applied physics letters, 2006-02, Vol.88 (6), p.061102-061102-3
2006
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