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2010
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2015, Vol.57 (1), p.108-110
2015
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2000
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High temperature, 2000-07, Vol.38 (4), p.607-613
2000
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1999
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.49 (1)
2015
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-03, Vol.49 (3), p.364-366
2015
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IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2016-04, Vol.122, p.12036
2016
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IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2016-04, Vol.122 (1)
2016
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IOP conference series. Materials Science and Engineering, 2016-04, Vol.122 (1), p.12036-12041
2016
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2011-12, Vol.53 (6), p.648-650
2011
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2011-12, Vol.53 (6), p.646-647
2011
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Journal of Nano- and Electronic Physics, 2016, Vol.8 (2), p.2022-2022-4
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2011-06, Vol.53 (3), p.332-335
2011
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2010-10, Vol.52 (5), p.556-560
2010
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Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1998-11, Vol.32 (11), p.1242-1247
1998
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MRS proceedings, 1998, Vol.531, Article 371
1998
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Semiconductors, 2022, Vol.55 (14), p.2170
2022
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2006-10, Vol.48 (5), p.517-519
2006
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Atomic energy (New York, N.Y.), 2010, Vol.108 (6), p.395-404
2010
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MRS proceedings, 1997, Vol.468, Article 137
1997
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Atomic energy (New York, N.Y.), 2010, Vol.108 (6), p.405-414
2010
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Radiochemistry (New York, N.Y.), 2006-10, Vol.48 (5), p.515-516
2006
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Technical physics letters, 1997-10, Vol.23 (10), p.807-808
1997
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Technical physics letters, 1997-11, Vol.23 (11), p.825-827
1997
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