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Rapid characterizing of ferromagnetic materials using spin rectification
Applied physics letters, 2014-12, Vol.105 (26)
2014
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Light-induced bioactive TiO2 surface
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (1)
2006
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Electric field controlled reversible magnetic anisotropy switching studied by spin rectification
Applied physics letters, 2014-03, Vol.104 (10)
2014
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Light-induced bioactive TiO 2 surface
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (1), p.013905-013905-3
2006
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Light-induced bioactive TiO{sub 2} surface
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (1)
2006
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Piezoelectric performance enhancement of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.25PbTiO3 crystals by alternating current polarization for ultrasonic transducer
Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (18)
2018
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Visible light responsive optoelectronic memristor device based on CeOx/ZnO structure for artificial vision system
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (19)
2021
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Giant strain and electric-field-induced phase transition in lead-free (Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3-(K0.5Na0.5)NbO3 single crystal
Applied physics letters, 2016-01, Vol.108 (2)
2016
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Memristive devices based on 2D-BiOI nanosheets and their applications to neuromorphic computing
Applied physics letters, 2020-03, Vol.116 (9)
2020
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Visible light responsive optoelectronic memristor device based on CeO x /ZnO structure for artificial vision system
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (19)
2021
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Memristor with BiVO4 nanoparticle as artificial synapse for neuroinspired computing
Applied physics letters, 2022-02, Vol.120 (9)
2022
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Artificial electronic synapse characteristics of a Ta/Ta2O5-x/Al2O3/InGaZnO4 memristor device on flexible stainless steel substrate
Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (1)
2018
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Possible contribution of low shear modulus C44 to the low Young's modulus of Ti-36Nb-5Zr alloy
Applied physics letters, 2014-09, Vol.105 (13)
2014
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HfO2:Gd-based ferroelectric memristor as bio-synapse emulators
Applied physics letters, 2022-12, Vol.121 (25)
2022
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A radiation-hardening Ta/Ta2O5-x/Al2O3/InGaZnO4 memristor for harsh electronics
Applied physics letters, 2018-09, Vol.113 (12)
2018
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Near-field thermophotonic system for power generation and electroluminescent refrigeration
Applied physics letters, 2022-01, Vol.120 (5)
2022
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High-speed Si films based threshold switching device and its artificial neuron application
Applied physics letters, 2021-10, Vol.119 (15)
2021
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Roles of grain boundary and oxygen vacancies in Ba0.6Sr0.4TiO3 films for resistive switching device application
Applied physics letters, 2016-01, Vol.108 (3)
2016
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A Boolean OR gate implemented with an optoelectronic switching memristor
Applied physics letters, 2019-10, Vol.115 (15)
2019
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A low-power reconfigurable memristor for artificial neurons and synapses
Applied physics letters, 2023-01, Vol.122 (4)
2023
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Open Access
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Piezoelectric energy harvesting using shear mode 0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–0.29PbTiO3 single crystal cantilever
Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (8)
2010
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Density effects of graphene oxide quantum dots on characteristics of Zr0.5Hf0.5O2 film memristors
Applied physics letters, 2019-04, Vol.114 (16)
2019
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Optical dispersion and interband transition in Na0.5Bi0.5TiO3-x%BaTiO3 lead-free relaxor ferroelectric single crystals
Applied physics letters, 2013-05, Vol.102 (20)
2013
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Characteristic investigation of a flexible resistive memory based on a tunneling junction of Pd/BTO/LSMO on mica substrate
Applied physics letters, 2018-11, Vol.113 (22)
2018
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Enhanced ferroelectric properties and thermal stability of nonstoichiometric 0.92(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.08(K0.5Bi0.5)TiO3 single crystals
Applied physics letters, 2013-11, Vol.103 (21)
2013
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Zeitschrift / SerieApplied Physics Letters
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