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Comparison of As- and P-based metamorphic buffers for high performance InP heterojunction bipolar transistor and high electron mobility transistor applications
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2004-05, Vol.22 (3), p.1565-1569
2004
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Comparative studies of the epireadiness of 4 in. InP substrates for molecular-beam epitaxy growth
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2005-05, Vol.23 (3), p.1262-1266
2005
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Strain relaxation and dislocation filtering in metamorphic high electron mobility transistor structures grown on GaAs substrates
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2001-07, Vol.19 (4), p.1510-1514
2001
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Molecular-beam epitaxy production of large-diameter metamorphic high electron mobility transistor and heterojunction bipolar transistor wafers
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2002-05, Vol.20 (3), p.1200-1204
2002
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