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1.57 mu m strained-layer quantum-well GaInAlAs ridge-waveguide laser diodes with high temperature (130 degrees C) and ultrahigh-speed (17 GHz) performance
IEEE photonics technology letters, 1993-06, Vol.5 (6), p.597-599
1993
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Low threshold current MOVPE grown GaInAs-Al(Ga)InAs separate confinement heterostructure multiquantum well metal-clad ridge-waveguide lasers emitting at 1585 nm
IEEE photonics technology letters, 1990-09, Vol.2 (9), p.609-611
1990
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1.57 mu m strained-layer quantum-well GaInAlAs ridge-waveguidelaser diodes with high temperature (130 deg C) and ultrahigh-speed (17GHz) performance
IEEE photonics technology letters, 1993-06, Vol.5 (6), p.597-599
1993
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Surface emitting InGaAsP/InP distributed feedback laser diode at 1.53 mum with monolithic integrated microlens
IEEE photonics technology letters, 1991-09, Vol.3 (9), p.776-778
1991
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1.55 mum gain-coupled quantum-well distributed feedback lasers with high single-mode yield and narrow linewidth
IEEE photonics technology letters, 1991-11, Vol.3 (11), p.955-957
1991
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