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Temperature dependence of neutron-induced soft errors in SRAMs
Microelectronics and reliability, 2012, Vol.52 (1), p.289-293
2012
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Impact of total dose on heavy-ion upsets in floating gate arrays
Microelectronics and reliability, 2010-09, Vol.50 (9), p.1837-1841
2010
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Destructive events in NAND Flash memories irradiated with heavy ions
Microelectronics and reliability, 2010-09, Vol.50 (9), p.1832-1836
2010
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Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
Microelectronics and reliability, 2006-09, Vol.46 (9), p.1669-1672
2006
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Lifetime estimation of analog circuits from the electrical characteristics of stressed MOSFETs
Microelectronics and reliability, 2007-09, Vol.47 (9), p.1349-1352
2007
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Ionising radiation and electrical stress on nanocrystal memory cell array
Microelectronics and reliability, 2007-04, Vol.47 (4), p.602-605
2007
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Ionising radiation effects on MOSFET drain current
Microelectronics and reliability, 2003-08, Vol.43 (8), p.1247-1251
2003
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Total dose dependence of radiation-induced leakage current in ultra-thin gate oxides
Microelectronics and reliability, 1999, Vol.39 (2), p.221-226
1999
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Low-field latent plasma damage depassivation in thin-oxide MOS
Microelectronics and reliability, 2000-08, Vol.40 (8-10), p.1347-1352
2000
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Time decay of stress induced leakage current in thin gate oxides by low-field electron injection
Microelectronics and reliability, 2000-04, Vol.40 (4-5), p.715-718
2000
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Electrically and radiation induced leakage currents in thin oxides
Microelectronics and reliability, 2000-01, Vol.40 (1), p.57-67
2000
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Stress induced degradation features of very thin gate oxides
Microelectronics and reliability, 1998-02, Vol.38 (2), p.195-199
1998
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MOSFET parameter degradation after Fowler–Nordheim injection stress
Microelectronics and reliability, 1998-02, Vol.38 (2), p.189-193
1998
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Failure mechanisms of Schottky gate contact degradation and deep traps creation in AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs submitted to accelerated life tests
Microelectronics and reliability, 1998-06, Vol.38 (6), p.1227-1232
1998
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On the correlation between SILC and hole fluence throughout the oxide
Microelectronics and reliability, 1999, Vol.39 (2), p.197-201
1999
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A new experimental technique to evaluate the plasma induced damage at wafer level testing
Microelectronics and reliability, 1998-06, Vol.38 (6), p.919-924
1998
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Depassivation of latent plasma damage in pMOS devices
Microelectronics and reliability, 1999, Vol.39 (6), p.827-832
1999
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Degradation of electron irradiated MOS capacitors
Microelectronics and reliability, 1999, Vol.39 (2), p.227-233
1999
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Electrical and radiation tests of thin tunnel oxides
Microelectronics and reliability, 1996, Vol.36 (7), p.1033-1044
1996
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Thermally induced parasitic ungated FET in power MESFETs
Microelectronics and reliability, 1990, Vol.30 (5), p.903-905
1990
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Electrical and radiation tests of thin tunnel oxides: Reliability physics of advanced electron devices
Microelectronics and reliability, 1996, Vol.36 (7-8), p.1033-1044
1996
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Investigating the latent reliability degradation of partially depleted SOI devices induced by high-energy heavy ions irradiation
Microelectronics and reliability, 2019-11, Vol.102, p.113425, Article 113425
2019
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