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Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers
Journal of luminescence, 2018-12, Vol.204, p.656-662
2018
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Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008, Vol.42 (9), p.1127-1131
2008
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Infrared photoluminescence from GeSi nanocrystals embedded in a germanium–silicate matrix
Journal of experimental and theoretical physics, 2015-12, Vol.121 (6), p.1076-1081
2015
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Structure, phase composition, and optical properties of silicon nanopowders
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2008-04, Vol.72 (4), p.500-503
2008
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Phase separation as a basis for the formation of light-emitting silicon nanoclusters in SiO x films irradiated with swift heavy ions
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2014-05, Vol.50 (3), p.292-297
2014
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Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO{sub 2} heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-03, Vol.47 (3)
2013
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The effect of composition on the formation of light-emitting Si nanostructures in SiO{sub x} layers on irradiation with swift heavy ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-03, Vol.45 (3)
2011
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Light-emitting Si nanostructures formed in SiO{sub 2} on irradiation with swift heavy ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-04, Vol.44 (4)
2010
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InSb nanocrystals containing SOI structures: Preparation and properties
2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018, p.1-4
2018
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