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Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO2 films under conditions of ion synthesis at high pressure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-10, Vol.51 (10), p.1364-1369
2017
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Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (13), p.1696-1703
2018
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Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1240-1246
2017
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Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008, Vol.42 (9), p.1127-1131
2008
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Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals in the buried SiO2 layer of a silicon-on-insulator structure
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-09, Vol.48 (9), p.1196-1201
2014
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Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-05, Vol.47 (5), p.606-611
2013
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Precipitation of boron in silicon on high-dose implantation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-03, Vol.44 (3), p.285-288
2010
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Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO2 heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-03, Vol.47 (3), p.358-364
2013
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Light-emitting Si nanostructures formed in SiO2 on irradiation with swift heavy ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-04, Vol.44 (4), p.525-530
2010
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The effect of composition on the formation of light-emitting Si nanostructures in SiOx layers on irradiation with swift heavy ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-03, Vol.45 (3)
2011
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Growth and electrical properties of the (Si/Ge)-on-insulator structures formed by ion implantation and subsequent hydrogen-assisted transfer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-01, Vol.43 (1), p.52-56
2009
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