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Catalyst free MBE-VLS growth of GaAs nanowires on (111)Si substrate
Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (6), p.1436-1440
2009
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Arrays of 850 nm photodiodes and vertical cavity surface emitting lasers for 25 to 40 Gbit/s optical interconnects
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.290-293
2012
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InAs/AlGaSb heterojunction tunnel field-effect transistor with tunnelling in-line with the gate field
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.389-392
2012
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Low noise high responsivity InAs electron avalanche photodiodes for infrared sensing
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.310-313
2012
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Halide based MBE of crystalline metals and oxides
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.155-160
2012
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High carrier concentration in high Al-composition AlGaN-channnel HEMTs
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.373-376
2012
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Highly controlled InAs nanowires on Si(111) wafers by MOVPE
38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)/23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)/Compound Semiconductor Week,Berlin, Germany,2011-05-22 - 2011-05-26, 2012-02, Vol.9 (2), p.206-209
2012
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Sensors using AlGaN/GaN based high electron mobility transistor for environmental and bio-applications
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.393-398
2012
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InGaAs channel MOSFET with self-aligned source/drain MBE regrowth technology
Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (6), p.1394-1398
2009
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Well-arrayed ZnO nanostructures formed by multi-annealing processes at low temperature
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.194-197
2012
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Tunable capacitive inter-dot coupling in a bilayer graphene double quantum dot
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.169-174, Article 169
2012
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Graphene growth using propane-hydrogen CVD on 6H-SiC(0001): temperature dependent interface and strain
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.175-178
2012
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Beam steering and lateral hole burning in mid-infrared quantum- cascade lasers
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.302-305
2012
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The influence of background As on GaSb/GaAs quantum dots and its application in infrared photodetectors
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.314-317
2012
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Comparison of InAs nanowire conductivity: influence of growth method and structure
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.230-234
2012
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An over 100 W AlGaN/GaN enhancement-mode HEMT power amplifier with piezoelectric-induced cap structure
Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (6), p.1365-1368
2009
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Transport and magnetotransport effects in indium antimonide doped with manganese within quasimetal-insulator transition
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.247-250
2012
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Evaluation of AlN material properties through vibration analysis of thin membranes
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.403-406
2012
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Modelling of passive mode-locking in InAs quantum-dot lasers with tapered gain section
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.286-289
2012
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Room temperature photoluminescence intensity enhancement in GaAs1-xBix alloys
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.259-261
2012
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Trade-offs between performance and reliability in AlGaN/GaN transistors
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.365-368
2012
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Analysis of a monolithic integrated rectenna by using an InGaAs/InAlAs triple-barrier resonant tunneling diode for zero bias detection of submilimeter-waves
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.377-380
2012
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1.3-μm wavelength-tunable quantum-dot optical frequency comb generator integrated with absorptive optical attenuator
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.282-285
2012
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Evaluation of deep levels in In0.53Ga0.47As and GaAs0.5Sb0.5 using low-frequency noise and RTS noise characterization
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.251-254
2012
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Highly stacked InGaAs quantum dot laser diodes fabricated by ultrahigh-rate molecular beam epitaxial growth technique
Physica status solidi. C, 2012-02, Vol.9 (2), p.226-229
2012
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