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Threshold voltage variation depending on single grain boundary and stored charges in an adjacent cell for vertical silicon-oxide-nitride-oxide-silicon NAND flash memory
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-04, Vol.57 (4S), p.4
2018
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Effects of single grain boundary and random interface traps on electrical variations of sub-30 nm polysilicon nanowire structures
Microelectronic engineering, 2016-01, Vol.149, p.113-116
2016
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Impact of geometrical parameters on the electrical performance of network-channel polycrystalline silicon thin-film transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-10, Vol.57 (10), p.104001
2018
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Design guidelines for nanoscale vacuum field emission transistors
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2016-07, Vol.34 (4)
2016
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Analog Figure-of-Merits Comparison of Gate Workfunction Variability and Random Discrete Dopant Between Inversion-Mode and Junctionless Nanowire FETs
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2018-09, Vol.18 (9), p.6598-6601
2018
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Work function consideration in vacuum field emission transistor design
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, 2017-11, Vol.35 (6)
2017
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Investigation of Hot-Carrier Reliability in Junctionless Polysilicon Thin-Film Transistors
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2017-05, Vol.17 (5), p.3375-3377
2017
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Electrical characteristics of tunneling field-effect transistors with asymmetric channel thickness
Japanese Journal of Applied Physics, 2017-02, Vol.56 (2), p.24201-024201
2017
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Effects of single grain boundary and random interface traps on electrical variations of sub-30nm polysilicon nanowire structures
Microelectronic engineering, 2016-01, Vol.149, p.113-116
2016
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Three-dimensional simulation of threshold voltage variations due to an oblique single grain boundary in sub-40 nm polysilicon nanowire FETs
Semiconductor science and technology, 2015-08, Vol.30 (8), p.85015
2015
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