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Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008, Vol.42 (9), p.1127-1131
2008
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Infrared photoluminescence from GeSi nanocrystals embedded in a germanium–silicate matrix
Journal of experimental and theoretical physics, 2015-12, Vol.121 (6), p.1076-1081
2015
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Endotaxial growth of InSb nanocrystals at the bonding interface of the In+ and Sb+ ion implanted SOI structure
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2009-05, Vol.267 (8-9), p.1360-1363
2009
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Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-05, Vol.47 (5), p.606-611
2013
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Nanometer-thick SGOI structures produced by Ge+ ion implantation of SiO2 films and subsequent hydrogen transfer of Si layers
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2009-05, Vol.267 (8-9), p.1277-1280
2009
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The effect of composition on the formation of light-emitting Si nanostructures in SiO{sub x} layers on irradiation with swift heavy ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-03, Vol.45 (3)
2011
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