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0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694

2013

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A 0.013 mm2, 5 μW, DC-Coupled Neural Signal Acquisition IC With 0.5 V Supply

IEEE journal of solid-state circuits, 2012, Vol.47 (1), p.232-243

2012

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0.013 mm2, kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1340-1342

2013

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A 0.016-mm2 144-μW Three-Stage Amplifier Capable of Driving 1-to-15 nF Capacitive Load With >0.95-MHz GBW

IEEE journal of solid-state circuits, 2013, Vol.48 (2), p.527-540

2013

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A 0.02-mm2 9-Bit 50-MS/s Cyclic ADC in 90-nm Digital CMOS Technology

IEEE journal of solid-state circuits, 2010-03, Vol.45 (3), p.610-619

2010

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0.07 mm2, 2 mW, 75 MHz-IF, fourth-order BPF using source-follower-based resonator in 90 nm CMOS

Electronics letters, 2012, Vol.48 (10), p.552-554

2012

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A 0.08μm2-sized 8F2 Stack DRAM cell for multi-gigabit DRAM

2002

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A 0.1-23-GHz SiGe BiCMOS analog multiplier and mixer based on attenuation-compensation technique

2004 IEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Systems. Digest of Papers, 2004, p.417-420

2004

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IEEE_Xplore

0-1 GHz waveguide 10.6 mu m GaAs electrooptic modulator

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352

Brown, R.T.

1992

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IEEE_Xplore

A 0.1 mm2, Wide Bandwidth Continuous-Time ΣΔ ADC Based on a Time Encoding Quantizer in 0.13 μm CMOS

IEEE journal of solid-state circuits, 2009, Vol.44 (10), p.2745-2754

2009

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A 0.12 mm2 7.4 μW Micropower Temperature Sensor With an Inaccuracy of ±0.2°C (33δ) From -0°C to 125°C: SPECIAL ISSUE ON THE 36th EUROPEAN SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE (ESSCIRC)

IEEE journal of solid-state circuits, 2011, Vol.46 (7), p.1693-1700

2011

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A 0.13 μm CMOS front-end, for DCS1800/UMTS/ 802.11b-g with multiband positive feedback low-noise amplifier

IEEE journal of solid-state circuits, 2006-04, Vol.41 (4), p.981-989

2006

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A 0.13 μm SiGe BiCMOS Technology Featuring fT/fmax of 240/330 GHz and Gate Delays Below 3 ps : The 23rd bipolar/BICMOS circuits and technology meeting

IEEE journal of solid-state circuits, 2010, Vol.45 (9), p.1678-1686

2010

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A 0.14-mm2 1.4-mW 59.4-dB-SFDR 2.4-GHz ZigBee/WPAN Receiver Exploiting a Split-LNTA + 50% LO Topology in 65-nm CMOS

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2014, Vol.62 (7), p.1525-1534

2014

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0.15-nJ/b 3-5-GHz IR-UWB System With Spectrum Tunable Transmitter and Merged-Correlator Noncoherent Receiver: SPECIAL ISSUE ON ULTRA-WIDEBAND (UWB) TECHNOLOGY

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2011, Vol.59 (4), p.1147-1156

2011

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0.18 μm 3.1-10.6 GHz CMOS UWB LNA with 11.4±0.4dB gain and 100.7±17.4ps group-delay

Electronics letters, 2007, Vol.43 (24), p.1359-1360

2007

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0.18 μm 3-6 GHz CMOS broadband LNA for UWB radio

Electronics letters, 2005-06, Vol.41 (12), p.696-698

2005

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A 0.18 μm CMOS 2.45 GHz low-power quadrature VCO with 15% tuning range

Digest of papers - IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, 2002, p.67-70

2002

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A 0,18-μm CMOS Balanced Amplifier for 24-GHz Applications

IEEE journal of solid-state circuits, 2008, Vol.43 (2), p.440-445

2008

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A 0.18um CMOS equalizer with a improved multiplier for 4-PAM/20Gbps throughput over 20-inch FR-4 backplane channels

2004

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A 0.236 mm2, 3.99 mW Fully Integrated 90 nm CMOS L1/L5 GPS Frequency Synthesizer Using a Regulated Ring VCO

IEEE microwave and wireless components letters, 2012, Vol.22 (6), p.324-326

HWANG, In-Chul

2012

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A 0.26-μm2 U-Shaped Nitride-Based programming cell on pure 90-nm CMOS technology

IEEE electron device letters, 2007, Vol.28 (9), p.837-839

2007

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A 0.35μm CMOS 17-bit@40kS/s sensor A/D interface based on a programmable-gain cascade 2-1 ΣΔ modulator

2004

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A 0.35μm low-noise adaptive pad driver for high-speed optical wireless receivers

2004

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A 0.38 V near/sub-VT digitally controlled low-dropout regulator with enhanced power supply noise rejection in 90 nm CMOS process

IET circuits, devices & systems, 2013-01, Vol.7 (1), p.31-41

2013

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