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Quad-phase synchronous light detection with 64 x 64 CMOS modulated light camera
Electronics letters, 2009-10, Vol.45 (21), p.1090-1092
2009
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Heterogeneous InSb quantum well transistors on silicon for ultra-high speed, low power logic applications
Electronics letters, 2007, Vol.43 (14), p.777-779
2007
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Simple optimising methodology for static frequency divider design
Electronics letters, 2006-10, Vol.42 (22), p.1267-1269
2006
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Camera pixel for coherent detection of modulated light
Electronics letters, 2004-10, Vol.40 (22), p.1403-1404
2004
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Phase-sensitive CMOS photo-circuit array for modulated thermoreflectance measurements
Electronics letters, 2003-09, Vol.39 (18), p.1339
2003
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Wavenumber domain reconstruction of SAR∕SAS imagery using single transmitter and multiple-receiver geometry
Electronics letters, 2002-03, Vol.38 (7), p.336-338
2002
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Conversion gain at 18 GHz from resonant tunnelling diode mixer operated in fundamental mode
Electronics letters, 1993-07, Vol.29 (15), p.1370-1372
1993
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High-performance InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with highly carbon-doped base grown by chemical beam epitaxy
Electronics letters, 1993-04, Vol.29 (8), p.666
1993
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Microwave power InP/InGaAs/InP double-heterojunction bipolar transistors
Electronics letters, 1993-04, Vol.29 (8), p.724-725
1993
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Microwave characteristics of a carbon-doped base InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor grown by chemical beam epitaxy
Electronics letters, 1993, Vol.29 (21), p.1893-1894
1993
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Open Access
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Multistripe array grating integrated cavity (Magic) laser : a new semiconductor laser for WDM applications
Electronics letters, 1992-09, Vol.28 (19), p.1805-1807
1992
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Frequency division multiplexing in analogue neural network
Electronics letters, 1991-05, Vol.27 (11), p.918-920
1991
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2.5 W, C-band, GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar power transistor
Electronics letters, 1989-07, Vol.25 (15), p.979
1989
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Pressure dependence of hole mobility in In1−xGaxAsyP1−y and its relation to alloy scattering
Electronics letters, 1981-01, Vol.17 (6), p.230
1981
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Mobility of holes in the quaternary alloy In1−xGaxAsyP1−y
Electronics letters, 1980-01, Vol.16 (8), p.282
1980
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Evidence for alloy scattering from pressure-induced changes of electron mobility in In1−xGaxAsyP1−y
Electronics letters, 1980-01, Vol.16 (14), p.560
1980
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