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Impact ionization, trap creation, degradation, and breakdown in silicon dioxide films on silicon
Journal of applied physics, 1993-04, Vol.73 (7), p.3367-3384
1993
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Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator
Journal of applied physics, 1988-11, Vol.64 (10), p.4943-4950
1988
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Chemical sputtering of Si related to roughness formation of a Cl-passivated Si surface
Journal of applied physics, 1993-07, Vol.74 (2), p.1303-1309
1993
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Spin coating: one-dimensional model
Journal of applied physics, 1989-12, Vol.66 (11), p.5185-5193
1989
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Silicon-to-silicon direct bonding method
Journal of applied physics, 1986-10, Vol.60 (8), p.2987-2989
1986
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Intrinsic carrier concentration and minority-carrier mobility of silicon from 77 to 300 K
Journal of applied physics, , Vol.73 (3), p.1214-1225
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Rapid isothermal processing
Journal of applied physics, 1988-04, Vol.63 (8), p.R59-R114
1988
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Silicon etching mechanisms in a CF4/H2 glow discharge
Journal of applied physics, 1987-07, Vol.62 (2), p.662-672
1987
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Damage-free selective etching of Si native oxides using NH3/NF3 and SF6/H2O down-flow etching
Journal of applied physics, 1993-07, Vol.74 (2), p.1345-1348
1993
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Simulation of reactive ion etching pattern transfer
Journal of applied physics, 1989-11, Vol.66 (10), p.4664-4675
1989
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A simple technique for the determination of mechanical strain in thin films with applications to polysilicon
Journal of applied physics, 1985-01, Vol.57 (5), p.1671-1675
1985
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Simplified closed-form trap-assisted tunneling model applied to nitrided oxide dielectric capacitors
Journal of applied physics, 1992-12, Vol.72 (12), p.5711-5715
1992
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The effects of gas phase convection on mass transfer in spin coating
Journal of applied physics, 1993-01, Vol.73 (2), p.585-600
1993
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Shock wave analysis of laser assisted particle removal
Journal of applied physics, 1993-12, Vol.74 (12), p.7044-7047
1993
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A mathematical model for spin coating of polymer resists
Journal of applied physics, , Vol.56 (4), p.1199-1206
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Ultimate accuracy of single-electron dc current standards
Journal of applied physics, 1993-02, Vol.73 (3), p.1297-1308
1993
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  • BibTeX
The stability of zinc oxide electrodes fabricated by dual ion beam sputtering
Journal of applied physics, 1993-02, Vol.73 (3), p.1143-1145
1993
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  • BibTeX
Thermal oxidation and electrical properties of silicon carbide metal-oxide-semiconductor structures
Journal of applied physics, 1993-02, Vol.73 (3), p.1279-1283
1993
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Fundamentals of topographic substrate leveling
Journal of applied physics, 1988-06, Vol.63 (11), p.5251-5258
1988
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Smoothing of the Si surface using CF4/O2 down-flow etching
Journal of applied physics, 1993-07, Vol.74 (2), p.1349-1353
1993
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Open Access
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Comparison of surface properties of sodium sulfide and ammonium sulfide passivation of GaAs
Journal of applied physics, 1989-06, Vol.65 (11), p.4306-4310
1989
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GaAs surface reconstruction obtained using a dry process
Journal of applied physics, 1993-02, Vol.73 (4), p.2035-2037
1993
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  • BibTeX
Novel electron-beam lithography for in situ patterning of GaAs using an oxidized surface thin layer as a resist
Journal of applied physics, , Vol.67 (9), p.4297-4303
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Post-metallization annealing of metal-tunnel oxide-silicon diodes
Journal of applied physics, 1993-10, Vol.74 (7), p.4780-4782
1993
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  • BibTeX
Experimental study and computer simulation of collimated sputtering of titanium thin films over topographical features
Journal of applied physics, 1993-07, Vol.74 (2), p.1339-1344
1993
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