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Threshold Prediction of Spurious Oscillations in Klystrons Due to Backstreaming Electrons From Collector
IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.3209-3215
2024
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Advanced Theoretical Models for Broadband Klystron Development
IEEE transactions on electron devices, 2022-11, Vol.69 (11), p.1-8
2022
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Design and Experiment of 1 THz Slow Wave Structure Fabricated by Nano-CNC Technology
IEEE transactions on electron devices, 2022-05, Vol.69 (5), p.2656-2661
2022
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Novel Hybrid Linear Beam Devices Based on the Combination of Traveling-Wave section and Output Resonator
IEEE transactions on electron devices, 2023-11, Vol.70 (11), p.5946-5951
2023
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A Novel Efficient Computational Method for the Electron Optics System in Multibeam Klystrons With Applications to Manufacturing Sensitivities
IEEE transactions on electron devices, 2024, p.1-7
2024
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Anisotropic thermal conductivity of nanoporous silica film
IEEE transactions on electron devices, 2004-01, Vol.51 (1), p.20-27
2004
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A comprehensive study on the FIBL of nanoscale MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2004-10, Vol.51 (10), p.1733-1736
2004
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Study of Corrugated Elliptical Waveguides for Slow-Wave Structures
IEEE transactions on electron devices, 2007-01, Vol.54 (1), p.151-156
2007
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Electrical instability of low-dielectric constant diffusion barrier film (a-SiC:H) for copper interconnect
IEEE transactions on electron devices, 2001-10, Vol.48 (10), p.2375-2383
2001
Open Access
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High-performance nMOSFETs using a novel strained Si/SiGe CMOS architecture
IEEE transactions on electron devices, 2003-09, Vol.50 (9), p.1961-1969
2003
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Comment on "Annealing behavior of a proton irradiated AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors grown by MBE"
IEEE transactions on electron devices, 2003-07, Vol.50 (7), p.1715
2003
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