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p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
红外与毫米波学报, 2022-06, Vol.41 (3), p.534-539
2022

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
Ist Teil von
  • 红外与毫米波学报, 2022-06, Vol.41 (3), p.534-539
Ort / Verlag
昆明物理研究所,昆明650223
Erscheinungsjahr
2022
Link zum Volltext
Quelle
EZB Electronic Journals Library
Beschreibungen/Notizen
  • TN215; As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R0A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势.介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R0A等性能参数进行测试分析.测试结果表明,器件的有效像元率在99.78％～99.9％之间,器件的NETD均小于21 mK.实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备.
Sprache
Chinesisch
Identifikatoren
ISSN: 1001-9014
DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2022.03.002
Titel-ID: cdi_wanfang_journals_hwyhmb202203002
Format
–

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