Details

Autor(en) / Beteiligte

• 丁华锋
• 严维敏
• 王钟
• 胡善文
• 高怀

Titel

0.1～4 GHz达林顿-共射共基结构的增益模块

Ist Teil von

• 电讯技术, 2010, Vol.50 (11), p.80-84

Ort / Verlag

东南大学,苏州研究院,高频高功率器件与集成技术研究中心,江苏,苏州215123%苏州大学,应用技术学院,机电工程系,江苏,苏州215325%南京大学,电子科学与工程系,声学研究所%东南大学,国家ASIC系统工程技术研究中心,南京210096

Erscheinungsjahr

2010

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Beschreibungen/Notizen

• TN721.1; 提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析.基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应.设计了增益模块的版图,用2 μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明:在0.1～4 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm.