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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Zero-bias 40Gbit/s germanium waveguide photodetector on silicon
Ist Teil von
  • Optics express, 2012-01, Vol.20 (2), p.1096-1101
Ort / Verlag
United States
Erscheinungsjahr
2012
Link zum Volltext
Quelle
EZB Electronic Journals Library
Beschreibungen/Notizen
  • We report on lateral pin germanium photodetectors selectively grown at the end of silicon waveguides. A very high optical bandwidth, estimated up to 120GHz, was evidenced in 10 µm long Ge photodetectors using three kinds of experimental set-ups. In addition, a responsivity of 0.8 A/W at 1550 nm was measured. An open eye diagrams at 40Gb/s were demonstrated under zero-bias at a wavelength of 1.55 µm.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 1094-4087
eISSN: 1094-4087
DOI: 10.1364/OE.20.001096
Titel-ID: cdi_proquest_miscellaneous_918035284

Weiterführende Literatur

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