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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Nonvolatile Si ∕ Si O 2 ∕ Si N ∕ Si O 2 ∕ Si type polycrystalline siliconthin-film-transistor memory with nanowire channelsfor improvement of erasing characteristics
Ist Teil von
  • Applied physics letters, 2007-11, Vol.91 (19), p.193103-193103-3
Ort / Verlag
American Institute of Physics
Erscheinungsjahr
2007
Quelle
AIP Journals Complete
Beschreibungen/Notizen
  • A silicon-oxide-nitride-oxide-silicon type polycrystalline silicon thin-film transistor (poly-Si TFT) with nanowire channels was investigated for both transistor and memory applications. The poly-Si TFT memory device has superior electrical characteristics, such as higher drain current, smaller threshold voltage, and steeper subthreshold slope. Also, the simulation result on electrical field reveals that the electrical field across the tunnel oxide is enhanced and that across the blocking oxide is reduced at the corner regions. This will lead to the parasitic gate injection activity and the erasing speed can be apparently improved in the memory device due to the pronounced corner effect and narrow channel width.
Sprache
Identifikatoren
ISSN: 0003-6951
eISSN: 1077-3118
DOI: 10.1063/1.2798600
Titel-ID: cdi_scitation_primary_10_1063_1_2798600Nonvolatile_Si
Format

Weiterführende Literatur

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